[发明专利]一种模具、坩埚及晶体生长装置

说明书

本发明公开了一种模具、坩埚及晶体生长装置，模具包括：模具本体，所述模具本体内设置有第一熔体通道；延伸部，所述延伸部设置于所述模具本体的底部，所述延伸部内设置有第二熔体通道；其中，所述第二熔体通道与所述第一通体通道连通。本发明通过在模具的底部设置延伸部，当剩余少量熔体时，熔体脱离模具本体的底部，但仍然与延伸部接触，由于延伸部的第二熔体通道内仍然可以虹吸熔体，剩余的熔体在自身表面张力的作用下，会向延伸部流动，并通过延伸部虹吸至模具的上表面，可虹吸完剩余熔体。

技术领域

本发明涉及模具技术领域，尤其涉及的是一种模具、坩埚及晶体生长装置。

背景技术

导模法生长氧化镓晶体是通过模具缝隙的虹吸现象把熔体提升到模具的上表面，之后下降籽晶至模具上表面使籽晶与熔体接触后开始生长晶体，所以模具上表面与氧化镓液面还是存在一定的距离。

随着晶体的不断生长，熔体的液面也不断的下降，但是模具无法完全将熔体虹吸完，造成有残余熔体。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种模具、坩埚及晶体生长装置，旨在解决现有技术中模具无法完全将熔体虹吸完，造成有残余熔体的问题。

本发明解决技术问题所采用的技术方案如下：

一种模具，用于晶体生长，其中，包括：

模具本体，所述模具本体内设置有第一熔体通道；

延伸部，所述延伸部设置于所述模具本体的底部，所述延伸部内设置有第二熔体通道；

其中，所述第二熔体通道与所述第一通体通道连通。

所述的模具，其中，所述模具还包括：

支撑部，所述支撑部设置于所述模具本体的底部；

所述支撑部的高度大于所述延伸部的高度。

所述的模具，其中，所述支撑部的高度与所述延伸部的高度之差为预设阈值，所述预设阈值为0.01-1mm。

所述的模具，其中，所述第一熔体通道贯穿所述模具本体的顶部和所述模具本体的底部；和/或，

所述第二熔体通道贯穿所述延伸部的顶部和所述延伸部的底部。

所述的模具，其中，所述延伸部的数量为1个；和/或，

所述延伸部位于所述模具本体的底部的中间位置。

所述的模具，其中，所述延伸部包括：

基部，所述基部与所述模具本体连接；

所述基部的长度为所述模具本体的长度的1/10-1/3。

所述的模具，其中，所述延伸部还包括：

扩展部，所述扩展部设置在所述基部的底部；

所述扩展部的长度为所述基部的长度的1/10-1/3。

所述的模具，其中，所述模具为铱模具或铱合金模具。

一种坩埚，其中，包括：

坩埚本体；

如上述任意一项所述的模具；

所述模具位于所述坩埚本体内。

一种晶体生长装置，其中，包括：

如上述任一项所述的模具或如上述所述的坩埚。