[发明专利]检测器件及其制备方法、光电传感器和显示装置

权利要求书

1.一种检测器件，其特征在于，包括：

基底；

设置在所述基底上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层；

设置在所述薄膜晶体管远离所述基底一侧的量子点层，所述量子点层与所述有源层相接触；

所述薄膜晶体管配置为，在所述量子点层接收到相应波段的光线时，产生电流信号。

2.根据权利要求1所述的检测器件，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：

设置在所述基底上的栅极；

覆盖在所述栅极上的栅极绝缘层；

设置在所述栅极绝缘层远离所述基底一侧的源极和漏极；

所述有源层包括源极连接部、漏极连接部和位于所述源极连接部与所述漏极连接部之间的沟道部，所述源极连接部与所述源极连接，所述漏极连接部与所述漏极连接，所述量子点层与所述沟道部接触。

3.根据权利要求1或2所述的检测器件，其特征在于，所述量子点层的厚度在至之间。

4.根据权利要求1或2所述的检测器件，其特征在于，所述有源层的材料包括非金属晶态氧化物或晶态金属氧化物。

5.一种光电传感器，其特征在于，包括：判断模块和至少一个如权利要求1至4中任一项所述的检测器件；

所述判断模块与所述检测器件连接，所述判断模块配置为，根据所述检测器件产生的电流信号，确定所述照射至所述检测器件的光线的波段。

6.根据权利要求5所述的光电传感器，其特征在于，所述光电传感器包括多个所述检测器件，不同的检测器件在不同波段光线的照射下，产生电流电信号，且不同的所述检测器件所产生的电流大小不同。

7.根据权利要求6所述的光电传感器，其特征在于，多个所述检测器件包括多个第一检测器件；

所述第一检测器件中的薄膜晶体管的栅极与第一电源端连接，所述第一检测器件中的薄膜晶体管的第一极与第二电源端连接，所述第一检测器件中的薄膜晶体管的第二极与所述判断模块连接；

其中，所述第一电源端的电压小于所述第一检测器件中的所述薄膜晶体管的开启电压。

8.根据权利要求7所述的光电传感器，其特征在于，多个所述检测器件还包括至少一个第二检测器件，所述第二检测器件中的薄膜晶体管的栅极与所述第一电源端连接，所述第二检测器件中的薄膜晶体管的第一极与所述第二电源端连接，所述第二检测器件中的薄膜晶体管的第二极与所述判断模块连接；其中，所述第一电源端的电压小于所述第二检测器件中的薄膜晶体管的开启电压；

所述光电传感器还包括选通模块，所述选通模块连接在多个所述第一检测器件和所述判断模块之间，所述选通模块配置为，响应于控制信号，控制所述多个第一检测器件与所述判断模块导通或断开。

9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求5至8中任一项所述的光电传感器。

10.一种检测器件的制备方法，其特征在于，包括：

在基底上形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层；

在所述有源层远离所述基底的一侧形成量子点材料层；

对所述量子点材料层进行激光退火，以形成量子点层。