[发明专利]研磨装置及研磨方法

说明书

实施方式提供一种能够适当地修正设置在衬底上的膜的膜厚的研磨装置及研磨方法。根据一实施方式，研磨装置具备能够保持设置有膜的衬底的第1衬底保持部。所述装置还具备能够保持第1垫的第1垫保持部。所述装置还具备第1驱动部，所述第1驱动部通过使所述第1垫在所述膜的表面平移而利用所述第1垫研磨所述膜。

[相关申请的交叉参考]

本申请案享有以日本专利申请案2020-137589号(申请日：2020年8月17日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及一种研磨装置及研磨方法。

背景技术

当通过研磨使设置在衬底上的膜平坦化时，理想的是能够适当地修正该膜的膜厚。

发明内容

实施方式提供一种能够适当地修正设置在衬底上的膜的膜厚的研磨装置及研磨方法。

根据一实施方式，研磨装置具备能够保持设置有膜的衬底的第1衬底保持部。所述装置还具备能够保持第1垫的第1垫保持部。所述装置还具备通过使所述第1垫在所述膜的表面平移而利用所述第1垫研磨所述膜的第1驱动部。

附图说明

图1是表示第1实施方式的研磨装置的结构的俯视图。

图2是表示第1实施方式的研磨部16a的结构的立体图。

图3是表示第1实施方式的研磨部16b的结构的立体图。

图4(a)～(c)是用于说明第1实施方式的研磨部16b的详情的俯视图。

图5(a)～(c)是用于说明第2实施方式的研磨部16b的结构及动作的剖视图。

图6(a)～(d)是用于说明第3实施方式的研磨部16b的结构及动作的剖视图。

图7(a)～(d)是用于说明第4实施方式的研磨部16b的结构及动作的剖视图。

具体实施方式

以下，将参照附图说明本发明的实施方式。图1至图7中，对相同的构成附上相同的符号，并省略重复的说明。

(第1实施方式)

图1是表示第1实施方式的研磨装置的结构的俯视图。图1的研磨装置例如是CMP(Chemical Mechanical Polishing，化学机械研磨)装置。

图1的研磨装置具备装载口(load port)11a～11d、搬送部12a～12e、衬底站(substratestation)13a、13b、清洁部14、干燥部15、研磨部16a、16b、测量部17、及信息处理部18。信息处理部18具备运算部18a及控制部18b。

图1示出了相互垂直的X方向、Y方向及Z方向。本说明书中，将+Z方向视为上方向，将-Z方向视为下方向。-Z方向可与重力方向一致，也可与重力方向不一致。

装载口11a～11d分别被用来载置FOUP(Front-Opening Unified Pod，前开式晶圆盒)2，该FOUP2是用于收容晶圆1的卡匣(cassette)。当将晶圆1搬入到研磨装置的壳体内时，在任一装载口11a～11d上载置FOUP2，从而FOUP2内的晶圆1被搬入到研磨装置的壳体内。另一方面，当将晶圆1从研磨装置的壳体中搬出时，研磨装置的壳体内的晶圆1被搬出到任一装载口11a～11d上的FOUP2内。

搬送部12a～12e在研磨装置的壳体内搬送晶圆1。衬底站13a、13b被用来在研磨装置的壳体内临时载置晶圆1。清洁部14清洁经研磨部16a、16b研磨过的晶圆1。干燥部15使经清洁部14清洁过的晶圆1干燥。