[发明专利]用于不具有钛衬垫的MOL互连的装置在审
| 申请号： | 202110096317.X | 申请日： | 2016-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN112736032A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | V·卡米内尼;M·V·雷蒙德;P·阿迪休米尔利;牛成玉 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L29/45;H01L21/285;H01L21/311;H01L21/67;H01L23/485;H01L23/522;H01L23/532;H01L23/535;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 具有 衬垫 mol 互连 装置 | ||
1.一种半导体装置，包含：
半导体基板；
氧化物层，在该半导体基板上方；
第一金属组件，包含钨，设置于该氧化物层内，其中，该第一金属组件的顶部的至少一部分没有电阻性钨基材料；
在该半导体基板上的栅极以及紧邻该栅极而设置于该半导体基板中的源极/漏极区，其中，该第一金属组件在该源极/漏极区上；
层间电介质(ILD)，在该氧化物层上方，其中，该层间电介质包含沟槽，以及该沟槽的底部包含该第一金属组件的该顶部的至少该部分；
阻障材料，沉积于该沟槽的侧壁及该底部上；
第二金属组件，设置于该沟槽中；以及
电阻性钨基材料，在该第一金属组件上，并且邻接该阻障材料和该氧化物层。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，更包含在该半导体基板上、在该栅极上和在该氧化物层下的氮化物层。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，更包含在该半导体基板上的栅极，其中，该第一金属组件为该栅极的最上面金属层。
4.一种半导体装置，包含：
半导体基板；
氧化物层，在该半导体基板上方；
栅极，在该半导体基板上；
源极/漏极区，紧邻该栅极而设置于该半导体基板中；
第一金属组件，包含钨，设置于该氧化物层内以及该源极/漏极区上，其中，该第一金属组件的顶部的至少一部分没有电阻性钨基材料；
层间电介质(ILD)，在该氧化物层上方，其中，该层间电介质包含沟槽，以及该沟槽的底部包含该第一金属组件的该顶部的至少一部分；
阻障材料，设置于该沟槽的侧壁及该底部上；
第二金属组件，设置于该沟槽中；以及
电阻性钨基材料，在该第一金属组件上，并且邻接该阻障材料和该氧化物层。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，更包含在该半导体基板上、在该栅极上和在该氧化物层下的氮化物层。
6.根据权利要求4所述的半导体装置，更包含在该第一金属组件上并且邻接该阻障材料和该氧化物层的电阻性钨基材料。
7.根据权利要求4所述的半导体装置，更包含设置在该源极/漏极区与该第一金属组件之间的硅化物区。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于格罗方德半导体公司，未经格罗方德半导体公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
