[发明专利]显示装置的制造方法有效
申请号: | 202110032605.9 | 申请日: | 2021-01-11 |
公开(公告)号: | CN112885822B | 公开(公告)日: | 2023-08-01 |
发明(设计)人: | 林世雄;吴仰恩 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L25/075;H01L25/00;H05K3/30 |
代理公司: | 北京市立康律师事务所 11805 | 代理人: | 梁挥;孟超 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 制造 方法 | ||
本发明公开了一种显示装置的制造方法,包括下列步骤。提供发光二极管显示装置,发光二极管显示装置包括:电路基板、多个第一发光二极管以及第二发光二极管;检测发光二极管显示装置,其中第二发光二极管不能正常发光;将第二发光二极管自电路基板移除。提供发光二极管基板;将发光二极管基板的第三发光二极管转置于第一转置基板;将第一转置基板上的第三发光二极管转置于第二转置基板;以及将第二转置基板上的第三发光二极管电性连接至电路基板。
技术领域
本发明是有关于一种显示装置的制造方法,且特别是有关于一种包含发光二极管的显示装置的制造方法。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diode;LED)为一种发光元件,其具低功耗、高亮度、高解析度及高色彩饱和度等特性,因而适用于构建发光二极管显示面板的像素结构。
将发光二极管转置到电路基板上的技术称为巨量转移(Mass Transfer)。现有技术在转移发光二极管时,容易产生发光二极管转置错误、失败或者发光二极管不良等的问题,导致显示装置中部分的像素不能正常运作,严重地影响显示装置的显示品质。一般而言,会将转置错误、失败或者发光二极管不良等的发光二极管移除,并将修复用的发光二极管转置于电路基板上以代替移除的发光二极管。然而,在现有技术的修复制程中,一次仅能转置一颗修复用的发光二极管,且修复用的发光二极管在转置过程容易出现位置偏移,导致修复失败。
发明内容
本发明提供一种显示装置的制造方法,能快速且准确的修复不能正常发光的发光二极管。
本发明的至少一实施例提供一种显示装置的制造方法,包括下列步骤。提供发光二极管显示装置。发光二极管显示装置包括电路基板、多个第一发光二极管以及第二发光二极管。第一发光二极管分别对应于电路基板的多个第一放置区设置。第一发光二极管电性连接至电路基板。第二发光二极管对应于电路基板的第二放置区设置。检测发光二极管显示装置,其中第二发光二极管不能正常发光。将第二发光二极管自电路基板移除。提供发光二极管基板,发光二极管基板包括第三发光二极管。提供第一转置基板。基于第二放置区的位置,将发光二极管基板的第三发光二极管转置于第一转置基板。将第一转置基板上的第三发光二极管转置于第二转置基板。将第二转置基板重叠于电路基板。第三发光二极管位于第二转置基板朝向电路基板的一侧。第三发光二极管的位置重叠于第二放置区。将第二转置基板上的第三发光二极管电性连接至电路基板。
附图说明
图1是依照本发明的一实施例的一种发光二极管基板的剖面示意图。
图2是依照本发明的一实施例的一种发光二极管基板的剖面示意图。
图3A至图3E是依照本发明的一实施例的一种发光二极管显示装置的制造方法的剖面示意图。
图4A至图4C是依照本发明的一实施例的一种发光二极管显示装置的制造方法的剖面示意图。
图5A至图5D是依照本发明的一实施例的一种发光二极管显示装置的制造方法的剖面示意图。
图6A至图6E是依照本发明的一实施例的一种发光二极管显示装置的制造方法的剖面示意图。
图7A至图7J是依照本发明的一实施例的一种修复发光二极管显示装置的方法的示意图。
图8A至图8D是依照本发明的一实施例的一种修复发光二极管显示装置的方法的剖面示意图。
图9A至图9Q是依照本发明的一实施例的一种修复发光二极管显示装置的方法的剖面示意图。
图10A至图10F是依照本发明的一实施例的一种转置发光二极管的方法的上视示意图。
图11A至图11F分别是图10A至图10F中线a-a’的剖面上视示意图。
其中,附图标记:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的