[实用新型]修复电路和存储器

权利要求书

1.一种修复电路，其特征在于，包括：

多个冗余存储单元，每个所述冗余存储单元配置有一状态信号；

修复模块，分别与所述多个冗余存储单元连接，用于根据多个所述状态信号，从多个所述冗余存储单元中确定出目标存储单元，并通过所述目标存储单元对缺陷存储单元进行修复；

其中，所述目标存储单元与所述缺陷存储单元一一对应，所述修复模块能够在多个修复阶段分别对不同的所述缺陷存储单元进行修复，且多个所述修复阶段共用所述多个冗余存储单元。

2.根据权利要求1所述的修复电路，其特征在于，所述修复模块包括：

选择单元，用于根据多个所述状态信号生成单元选择信号；

存储修复单元，分别与所述选择单元和所述多个冗余存储单元连接，用于接收所述单元选择信号，根据所述单元选择信号确定所述目标存储单元，并通过所述目标存储单元对所述缺陷存储单元进行修复。

3.根据权利要求2所述的修复电路，其特征在于，所述选择单元用于根据预设修复次序和多个所述状态信号生成所述单元选择信号。

4.根据权利要求3所述的修复电路，其特征在于，所述单元选择信号包括多个使能信号，多个所述使能信号与多个所述冗余存储单元一一对应，且在同一时刻多个所述使能信号中的至多一个使能有效；

所述选择单元包括多个生成电路，每个所述生成电路用于对应生成一个所述使能信号；

其中，存储修复单元用于确定使能有效的所述使能信号对应的所述冗余存储单元作为所述目标存储单元。

5.根据权利要求4所述的修复电路，其特征在于，所述状态信号携带对应的所述冗余存储单元的占用信息，所述占用信息包括已占用和未占用，所述选择单元包括第一生成电路，所述第一生成电路用于生成第一使能信号，定义位于第一修复次序的所述冗余存储单元为第一冗余存储单元；其中，

当所述第一冗余存储单元为已占用时，所述第一使能信号为使能无效；当所述第一冗余存储单元为未占用时，所述第一使能信号为使能有效。

6.根据权利要求4所述的修复电路，其特征在于，定义位于第n修复次序的所述冗余存储单元为第n冗余存储单元，n为大于1的正整数，所述选择单元还包括第n生成电路，所述第n生成电路用于生成第n使能信号；其中，

当修复次序位于所述第n冗余存储单元前的全部冗余存储修复单元中的至少一个为未占用时，所述第n使能信号为使能无效；当修复次序位于所述第n冗余存储单元前的全部冗余存储修复单元均为已占用，且所述第n冗余存储单元未占用时，所述第n使能信号为使能有效。

7.根据权利要求6所述的修复电路，其特征在于，所述第n生成电路包括：

n-1个第一逻辑门，n-1个所述第一逻辑门用于一一对应接收n-1个所述状态信号，并对接收到的所述状态信号进行逻辑计算；

第二逻辑门，所述第二逻辑门配置有n个输入端和一个输出端，n-1个所述输入端分别与n-1个所述第一逻辑门的输出端一一对应连接，剩余的所述输入端用于接收第n状态信号，所述第二逻辑门用于对输入的多个信号进行逻辑计算，以生成所述第n使能信号。

8.根据权利要求7所述的修复电路，其特征在于，所述第一逻辑门为非门，所述第二逻辑门为与门。

9.根据权利要求7所述的修复电路，其特征在于，多个所述生成电路共用至少部分所述第一逻辑门。

10.根据权利要求2所述的修复电路，其特征在于，所述多个修复阶段包括第一修复阶段和第二修复阶段，所述存储修复单元包括：

第一修复单元，分别与所述选择单元和多个所述冗余存储单元连接，用于在所述第一修复阶段修复所述缺陷存储单元；

第二修复单元，分别与所述选择单元和多个所述冗余存储单元连接，用于在所述第二修复阶段修复所述缺陷存储单元；

其中，所述第一修复阶段早于所述第二修复阶段，所述第一修复单元优先于所述第二修复单元占用所述冗余存储单元。