[实用新型]芯片顶出构造有效
申请号: | 202020722246.0 | 申请日: | 2020-05-06 |
公开(公告)号: | CN212161785U | 公开(公告)日: | 2020-12-15 |
发明(设计)人: | 李威达;李辰达 | 申请(专利权)人: | 竑昇国际科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张琳 |
地址: | 中国台湾高雄市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 构造 | ||
本实用新型公开了一种芯片顶出构造用以将贴合于载板的晶圆的至少一个芯片顶起,以利于进行后续制程,该芯片顶出构造包含筒体、顶推模块、位移限位模块及复位件,该筒体的定位载台固定于该筒体中,该位移限位模块活动地设置于该筒体中,借由该位移限位模块及该复位件,以控制该顶推模块的顶推件顶起该芯片的位移量,以将该芯片断离该晶圆。
技术领域
本实用新型涉及一种芯片顶出构造,尤其是涉及一种用以控制晶元被顶起位移量的芯片顶出构造。
背景技术
请参查中国台湾发明专利申请第101147959号「芯片分离装置」,其揭露第三顶抵模块140及间隔件160活动地设置于容置槽A中,当该第三顶抵模块140的第三传动件142向上移动时,该第三传动件142会顶推第二弹性件170,该第二弹性件170同时会顶推该间隔件160,因此造成该第三顶抵模块140的位移量不易控制。
当该第三顶抵模块140的位移量不足时,会造成晶圆300的芯片310无法断离该晶圆300,或者造成断离该晶圆300的该芯片310仍大面积地贴附于黏胶层400等问题,而这将不利于真空吸嘴500吸取该芯片310。
或者,当该第三顶抵模块140的位移量太多时,会造成断离该晶圆300的该芯片310贴附于该黏胶层400的面积过小,因此会发生该真空吸嘴500未吸取该芯片310前,该芯片310已脱离该黏胶层400而掉落的问题。
实用新型内容
本实用新型的主要目的是借由位移限位模块控制顶推模块的顶推件顶起晶圆的芯片的位移量,以使该芯片断离该晶圆,以利于真空吸嘴吸取该芯片。
本实用新型的一种芯片顶出构造包含筒体、顶推模块、位移限位模块及复位件,该筒体具有筒壁、容置空间、开口及定位载台,该容置空间连通该开口,该定位载台位于该容置空间中,且该定位载台固定于该筒壁,该定位载台将该容置空间区隔成第一容置空间及第二容置空间,该顶推模块设置于该第一容置空间,该顶推模块具有推杆及顶推件,该顶推件结合于该推杆的第一端部,该顶推件用以顶推芯片,该位移限位模块,活动地设置于该第二容置空间,该位移限位模块具有受推载台及结合件,该结合件的末端部结合于该推杆的第二端部,该位移限位模块能被驱动件顶推往该定位载台方向移动,以使该结合件推动该推杆,并使该顶推件顶推该芯片,该复位件,设置于该定位载台及该受推载台之间,该复位件用以顶推该位移限位模块使该定位载台与该受推载台之间具有可变动间距。
进一步地,该定位载台具有第一动作孔,该推杆或该结合件活动地穿设于该第一动作孔。
进一步地,该复位件包含第一压缩弹簧,该第一压缩弹簧的一端抵触该定位载台,另一端抵触该受推载台,且该第一压缩弹簧环绕该结合件。
进一步地,该位移限位模块还包含受推板,该复位件包含第二压缩弹簧,该受推板结合该结合件,且该受推板被限位于该定位载台与该受推载台之间,该第二压缩弹簧的一端抵触该定位载台,另一端抵触该受推板,且该第二压缩弹簧环绕该结合件。
进一步地,该受推载台具有第一穿孔,该第一穿孔的孔径大于该结合件的头部的外径,该结合件的该头部位于该第一穿孔中。
进一步地,该头部凸出于该受推载台的表面,该表面朝向该驱动件。
进一步地,该受推板抵触该结合件的该头部,该受推板被限位于该定位载台与该头部之间。
进一步地,该受推板具有第三穿孔,该结合件活动地穿设于该第三穿孔,该第三穿孔的孔径小于该结合件的该头部的该外径。
进一步地,该推杆的该第二端部设有第一螺孔,该结合件的该末端部具有外螺纹,该结合件的该末端部螺合于该第一螺孔。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于竑昇国际科技有限公司,未经竑昇国际科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202020722246.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种减震缓冲车用使用寿命长的驱动轴
- 下一篇:一种质量监督宣传装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造