[发明专利]一种硬压接式IGBT模块在审
| 申请号： | 202011428689.X | 申请日： | 2020-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN114613731A | 公开（公告）日： | 2022-06-10 |
| 发明（设计）人： | 张文浩;石廷昌;常桂钦;李寒;李亮星;董国忠 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L23/04;H01L25/07;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 | 代理人： | 刘文博 |
| 地址： | 412001 湖南省株洲市石峰*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硬压接式 igbt 模块 | ||
1.一种硬压接式IGBT模块，其特征在于：包括压接式子单元(U1)、管盖(5)、管座(6)和PCB(7)，所述管盖(5)与管座(6)连接，中间形成容纳腔，所述压接式子单元(U1)和PCB(7)均设于容纳腔内，所述管盖(5)与压接式子单元(U1)的集电极接触，管座(6)表面与所述压接式子单元(U1)的发射极接触，所述PCB(7)与压接式子单元(U1)的栅极连接，所述管盖(5)和/或管座(6)上设有定向爆破结构(8)。
2.如权利要求1所述的硬压接式IGBT模块，其特征在于：所述管盖(5)的四周设有用于连接管座(6)的裙边(51)，所述管座(6)的侧壁上设有陶瓷区(61)，所述爆破结构(8)设于裙边(51)和/或陶瓷区(61)上。
3.如权利要求1或2所述的硬压接式IGBT模块，其特征在于：所述爆破结构(8)为长条形的减薄区(81)，所述减薄区(81)的厚度为管盖(5)和/或管座(6)厚度的25％-30％。
4.如权利要求1或2所述的硬压接式IGBT模块，其特征在于：所述爆破结构(8)为并排设置的通孔(82)。
5.如权利要求4所述的硬压接式IGBT模块，其特征在于：所述通孔(82)内填充有绝缘高分子材料。
6.如权利要求4所述的硬压接式IGBT模块，其特征在于：所述通孔(82)为圆形或多边形。
7.如权利要求1所述的硬压接式IGBT模块，其特征在于：所述压接式子单元(U1)包括半导体芯片(1)、发射极钼片(2)、集电极钼片(3)和弹簧针(4)，所述半导体芯片(1)的集电极通过集电极钼片(3)与管盖(5)连接，所述半导体芯片(1)的发射极通过发射极钼片(2)与管座(6)连接，所述半导体芯片(1)的栅极通过弹簧针(4)与PCB(7)连接。
8.如权利要求7所述的硬压接式IGBT模块，其特征在于：所述PCB(7)将多个半导体芯片(1)的栅极汇总并引出到栅极端子(71)上，所述栅极端子(71)与管座(6)上的栅极引脚(9)连接。
9.如权利要求1所述的硬压接式IGBT模块，其特征在于：所述管盖(5)及管座(6)与压接式子单元(U1)之间均设有导电板材。
10.如权利要求1所述的硬压接式IGBT模块，其特征在于：所述容纳腔中灌封用于对所有压接式子单元(U1)进行绝缘保护的硅胶层，所述硅胶层的液面高度不高于压接式子单元(U1)的集电极。
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