[发明专利]晶片及其制造方法

说明书

实施方式涉及晶片及其制造方法。根据一实施例的晶片在25℃的温度下以0.1N/分钟的加荷速率施加的1N和18N的荷载下分别测定的根据动态机械分析的松弛模量(relaxation modulus)的差异可以为450GPa以下。

技术领域

实施方式涉及一种具有优异物性的晶片及其制造方法。

背景技术

碳化硅(SiC)是具有2.2eV至3.3eV的宽带隙的半导体，由于其优异的物理和化学性质，正在对此作为半导体材料进行研究和开发。

作为碳化硅单晶的制造方法，有液相沉积法(Liquid Phase Epitaxy，LPE)、化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition，CVD)、物理气相传输法(Physical VaporTransport，PVT)等。其中，物理气相传输法是将碳化硅原料装入坩埚中，将由碳化硅单晶形成的晶种放置在坩埚的顶部，然后通过感应加热方式加热坩埚，使得原料升华，以在晶种上生长碳化硅单晶的方法。

物理气相传输法具有高生长率，以能够制造锭型碳化硅，因此被最广泛使用。然而，电流密度根据坩埚特性和工艺条件等而变化，坩埚内部的温度分布也变化，因此难以确保碳化硅锭的一定物理性质。

上述的背景技术是发明人为了创造本发明而持有或在创造本发明的过程中获得的的技术信息，不能说一定是本发明申请之前被一般公众所公开的公知技术。

作为相关现有文献，包括韩国公开专利公报第10-2017-0076763号中公开的“碳化硅单晶的制造方法及碳化硅单晶基板”、韩国公开专利公报第10-2010-0089103号中公开的“碳化硅单晶锭、由该单晶锭得到的基板及外延片”。

发明内容

技术问题

实施方式的目的在于提供一种减少由于各种应力引起的变形和破损的可能性且确保弹性和蠕变特性的碳化硅锭、晶片等。

实施方式的另一目的在于提供减少如位错密度等的缺陷数值且具有高质量的碳化硅锭、晶片等。

解决问题的方案

为了达到上述目的，一实施例的晶片在25℃的温度下以0.1N/分钟的加荷速率施加的1N和18N的荷载下分别测定的根据动态机械分析的松弛模量(relaxation modulus)的差异可以为450GPa以下。

在一实施例中，上述晶片在25℃的温度下以0.1N/分钟的加荷速率施加的1N的荷载下测定的上述松弛模量可以为1510GPa至1800GPa。

在一实施例中，上述晶片在25℃的温度下以0.1N/分钟的加荷速率施加的18N的荷载下测定的上述松弛模量可以为1800GPa至1960GPa。

在一实施例中，上述晶片在25℃的温度下以0.1N/分钟的加荷速率施加的1N至18N中的任一种荷载下测定的上述松弛模量可以为1510GPa至1960GPa。

在一实施例中，上述晶片在25℃的温度下以0.1N/分钟的加荷速率施加的1N至18N中的任一种荷载下测定的根据动态机械分析的刚性可以为51.3kN/m至70.0kN/m。

在一实施例中，上述晶片在25℃的温度下以0.1N/分钟的加荷速率施加的1N至18N中的任一种荷载条件下测定的根据动态机械分析的蠕变柔量(creep compliance)可以为0.508μm²/N至0.643μm²/N。

在一实施例中，上述晶片在25℃的温度下以0.1N/分钟的加荷速率施加的1N的荷载下测定的上述蠕变柔量可以为0.60μm²/N至0.62μm²/N。