[发明专利]晶片及其制造方法

权利要求书

1.一种晶片，其特征在于，

在25℃的温度下以0.1N/分钟的加荷速率施加的1N和18N的荷载下分别测定的根据动态机械分析的松弛模量的差异为450GPa以下。

2.根据权利要求1所述的晶片，其特征在于，

在25℃的温度下以0.1N/分钟的加荷速率施加的1N至18N中的任一种荷载条件下测定的根据动态机械分析的蠕变柔量为0.508μm²/N至0.643μm²/N。

3.根据权利要求1所述的晶片，其特征在于，

在25℃的温度下以0.1N/分钟的加荷速率施加的1N的荷载下测定的上述松弛模量为1510GPa至1800GPa。

4.根据权利要求1所述的晶片，其特征在于，

在25℃的温度下以0.1N/分钟的加荷速率施加的18N的荷载下测定的上述松弛模量为1800GPa至1960GPa。

5.根据权利要求1所述的晶片，其特征在于，

在25℃的温度下以0.1N/分钟的加荷速率施加的1N至18N中的任一种荷载下测定的上述松弛模量为1510GPa至1960GPa。

6.根据权利要求1所述的晶片，其特征在于，

在25℃的温度下以0.1N/分钟的加荷速率施加的1N至18N中的任一种荷载下测定的根据动态机械分析的刚性为51.3kN/m至70.0kN/m。

7.根据权利要求1所述的晶片，其特征在于，

在25℃的温度下以0.1N/分钟的加荷速率施加的1N的荷载下测定的上述蠕变柔量为0.60μm²/N至0.62μm²/N。

8.根据权利要求1所述的晶片，其特征在于，

在25℃的温度下以0.1N/分钟的加荷速率施加的18N的荷载下测定的上述蠕变柔量为0.52μm²/N至0.55μm²/N。

9.根据权利要求1所述的晶片，其特征在于，

上述晶片的直径为4英寸以上，且上述晶片由4H碳化硅制成。

10.一种晶片的制造方法，其特征在于，

包括：

准备步骤，在具有内部空间的反应容器中将原料和碳化硅晶种放置成彼此相向，

生长步骤，通过控制上述内部空间的温度、压力及气氛来升华上述原料，以制造在上述晶种上生长的碳化硅锭，

冷却步骤，通过使上述反应容器冷却以回收上述碳化硅锭，

研磨步骤，对上述碳化硅锭的边缘进行研磨，及

切割步骤，将研磨的上述碳化硅锭切割以制造晶片；

上述碳化硅锭包括彼此相向的一面和另一面，

定义为上部的上述一面是平面或凸面，

晶片设置在上述一面下方的部分，

上述晶片在25℃的温度下以0.1N/分钟的加荷速率施加的1N和18N的条件下测定的根据动态机械分析的松弛模量的差异为450GPa以下。

11.根据权利要求10所述的晶片的制造方法，其特征在于，

上述反应容器的热导率为120W/mK以下。

12.根据权利要求10所述的晶片的制造方法，其特征在于，

上述隔热材料的气孔率为72％至95％。

13.根据权利要求10所述的晶片的制造方法，其特征在于，

上述隔热材料的压缩强度为0.2MPa以上。