[发明专利]引晶功率确定方法、装置及电子设备

权利要求书

1.一种引晶功率确定方法，其特征在于，包括：

在前一次引晶从满埚料开始的情况下，分别获取所述前一次引晶过程中的引晶功率、引晶拉速和放肩拉速；其中，所述满埚料情况下，坩埚内的熔硅占装满所述坩埚的熔硅的质量比例大于预设比例；

基于所述前一次引晶过程中的引晶功率、引晶拉速和放肩拉速，确定从满埚料开始的本次引晶的引晶功率；所述本次引晶为所述前一次引晶之后的下一次引晶；所述本次引晶的引放埚位与所述前一次引晶的引放埚位之间小于或等于预设距离。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述前一次引晶过程中的引晶功率、引晶拉速和放肩拉速，确定从满埚料开始的本次引晶的引晶功率，包括：

用所述前一次引晶过程中的引晶拉速减去预设引晶拉速，得到引晶拉速差值；

用所述前一次引晶过程中的放肩拉速减去预设放肩拉速，得到放肩拉速差值；

将第一补偿量、第二补偿量和所述前一次引晶过程中的引晶功率三者求和，得到从满埚料开始的本次引晶情况下的引晶功率；所述第一补偿量等于引晶拉速调节系数乘以所述引晶拉速差值；所述第二补偿量等于放肩拉速调节系数乘以所述放肩拉速差值。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述预设引晶拉速为190mm/h；所述引晶拉速调节系数为：0.01。

4.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述预设放肩拉速为50mm/h；所述放肩拉速调节系数为0.015。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，装满所述坩埚的熔硅的质量为410kg的情况下，所述坩埚内的熔硅质量大于或等于360kg为满埚料。

6.一种引晶功率确定装置，其特征在于，包括：

前一次引晶参数获取模块，用于在前一次引晶从满埚料开始的情况下，分别获取所述前一次引晶过程中的引晶功率、引晶拉速和放肩拉速；其中，所述满埚料情况下，坩埚内的熔硅占装满所述坩埚的熔硅的质量比例大于预设比例；

引晶功率确定模块，用于基于所述前一次引晶过程中的引晶功率、引晶拉速和放肩拉速，确定从满埚料开始的本次引晶的引晶功率；所述本次引晶为所述前一次引晶之后的下一次引晶；所述本次引晶的引放埚位与所述前一次引晶的引放埚位之间小于或等于预设距离。

7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述引晶功率确定模块，包括：

引晶拉速差值确定单元，用于用所述前一次引晶过程中的引晶拉速减去预设引晶拉速，得到引晶拉速差值；

放肩拉速差值确定单元，用于用所述前一次引晶过程中的放肩拉速减去预设放肩拉速，得到放肩拉速差值；

引晶功率确定单元，用于将第一补偿量、第二补偿量和所述前一次引晶过程中的引晶功率三者求和，得到从满埚料开始的本次引晶情况下的引晶功率；所述第一补偿量等于引晶拉速调节系数乘以所述引晶拉速差值；所述第二补偿量等于放肩拉速调节系数乘以所述放肩拉速差值。

8.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括：接口，总线，存储器与处理器，所述接口、存储器与处理器通过所述总线相连接，所述存储器用于存储可执行程序，所述处理器被配置为运行所述可执行程序实现如权利要求1至5中任一项所述的引晶功率确定方法的步骤。

9.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质上存储可执行程序，所述可执行程序被处理器运行实现如权利要求1至5中任一项所述的引晶功率确定方法的步骤。