[发明专利]清洗装置及方法在审

申请号：	202010060403.0	申请日：	2020-01-19
公开（公告）号：	CN111261554A	公开（公告）日：	2020-06-09
发明（设计）人：	王孝进;王猛;侯潇	申请（专利权）人：	长江存储科技有限责任公司
主分类号：	H01L21/67	分类号：	H01L21/67;H01L21/02
代理公司：	北京派特恩知识产权代理有限公司 11270	代理人：	李路遥;张颖玲
地址：	430074 湖北省武***	国省代码：	湖北;42
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：
搜索关键词：	清洗装置方法
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【说明书】：

本发明实施例提供了一种清洗装置及方法，在进行清洗时，将待清洗的半导体结构设置在所述清洗装置的装载台上；所述待清洗的半导体结构中至少包含氧化性的杂质；利用所述清洗装置的加热器将所述清洗装置的炉管反应腔的温度加热至第一温度；在所述清洗装置的等离子体发生器中将还原性的第一气体进行离子化处理；在所述第一温度条件下，利用离子化处理后的第一气体将所述氧化性的杂质在所述炉管反应腔中执行去除。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种清洗装置及方法。

背景技术

在存储器的制造过程中，在某些工艺，如外延层的外延生长执行之前，需要对待执行该工艺的位置处进行预清洗处理，以避免一些氧化性的杂质影响该工艺的执行，从而得到高质量的工艺执行结果。相关技术中，一般利用还原性气体(如氢气H₂)高温退火步骤(即将晶圆置于高温的炉管反应腔中，利用还原性气体与氧化性的杂质反应)结合湿法清洗步骤一起来执行预清洗，达到去除氧化性的杂质的目的。

然而，相关技术中，在利用还原性气体高温退火步骤去除氧化性的杂质时，存在对晶圆加热温度过高，从而对晶圆产生不良影响，如影响晶圆电性参数的漂移或者晶圆弯曲变形严重。

发明内容

为解决相关技术问题，本发明实施例提出一种清洗装置及方法，能够在利用还原性气体高温退火步骤去除氧化性的杂质时，降低对晶圆加热的温度，避免由于温度过高对晶圆产生的不良影响。

本发明实施例提供了一种清洗装置，包括：装载台、加热器、等离子体发生器及炉管反应腔；其中：

在进行清洗时，待清洗的半导体结构设置在所述装载台上；所述待清洗的半导体结构中至少包含氧化性的杂质；

所述加热器，用于将所述炉管反应腔的温度加热至第一温度；

等离子体发生器，用于将还原性的第一气体进行离子化处理；

在所述第一温度条件下，利用离子化处理后的第一气体在所述炉管反应腔中执行去除所述氧化性的杂质。

上述方案中，所述第一气体包含H₂；

所述等离子体发生器，具体用于将H₂转化为自由基H·和氢离子H⁺；

在所述第一温度条件下，利用所述H·和H⁺在所述炉管反应腔中执行去除所述氧化性的杂质。

上述方案中，所述等离子体发生器包括远程等离子体发生器。