[发明专利]清洗装置及方法

权利要求书

1.一种清洗装置，其特征在于，所述装置包括：装载台、加热器、等离子体发生器及炉管反应腔；其中：

在进行清洗时，待清洗的半导体结构设置在所述装载台上；所述待清洗的半导体结构中至少包含氧化性的杂质；

所述加热器，用于将所述炉管反应腔的温度加热至第一温度；

等离子体发生器，用于将还原性的第一气体进行离子化处理；

在所述第一温度条件下，利用离子化处理后的第一气体在所述炉管反应腔中执行去除所述氧化性的杂质。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一气体包含氢气H₂；

所述等离子体发生器，具体用于将H₂转化为自由基H·和氢离子H⁺；

在所述第一温度条件下，利用所述H·和H⁺在所述炉管反应腔中执行去除所述氧化性的杂质。

3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述等离子体发生器包括远程等离子体发生器。

4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：进气口，所述第一气体从所述进气口通入到所述等离子体发生器中。

5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：气体注入管道；所述气体注入管道的输入口与所述等离子体发生器的输出口相连，所述气体注入管道的输出口与所述炉管反应腔相连；所述离子化处理后的第一气体通过所述气体注入管道传输至所述炉管反应腔中。

6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述气体注入管道包括多个输出口；所述离子化处理后的第一气体通过所述多个输出口分流进入所述炉管反应腔中。

7.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括出气口，所述离子化处理后的第一气体与所述氧化性的杂质反应后的气体通过所述出气口从所述炉管反应腔中排出。

8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述装置还包括包含泵；所述泵抽气时，所述离子化处理后的第一气体与所述氧化性的杂质反应后的气体通过所述出气口从所述炉管反应腔中排出。

9.一种清洗方法，其特征在于，所述方法包括：

在进行清洗时，将待清洗的半导体结构设置在所述清洗装置的装载台上；所述待清洗的半导体结构中至少包含氧化性的杂质；

利用所述清洗装置的加热器将所述清洗装置的炉管反应腔的温度加热至第一温度；

在所述清洗装置的等离子体发生器中将还原性的第一气体进行离子化处理；

在所述第一温度条件下，利用离子化处理后的第一气体将所述氧化性的杂质在所述炉管反应腔中执行去除。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述第一气体包含H₂；

在所述清洗装置的等离子体发生器中将还原性的第一气体进行离子化处理时，所述方法包括：

在所述清洗装置的等离子体发生器中将H₂转化为H·和H⁺；

在所述第一温度条件下，利用离子化处理后的第一气体将所述氧化性的杂质在所述炉管反应腔中执行去除时，所述方法包括：

在所述第一温度条件下，利用所述H·和H⁺将所述氧化性的杂质在所述炉管反应腔中执行去除。