[实用新型]导电胶膜

说明书

本实用新型提供一种导电胶膜，包含导电基材、接合于导电基材上的第一导电胶层、接合于第一导电胶层上的多孔薄膜以及接合于多孔薄膜上的第二导电胶层。多孔薄膜是由多根纤维所构成且具有多个通孔。第二导电胶层通过多孔薄膜的多个通孔与第一导电胶层接合。第一导电胶层的第一粘着力大于第二导电胶层的第二粘着力。第二导电胶层的第二粘着力等于或小于400gf。多孔薄膜的厚度等于或小于50μm。本实用新型的导电胶膜能供小尺寸垂直型态半导体裸晶进行电气特性测试。

技术领域

本实用新型涉及一种导电胶膜，尤其涉及一种能供小尺寸垂直型态半导体裸晶(或称为半导体晶粒)进行电气特性测试的导电胶膜。

背景技术

半导体元件(涵盖光电元件)在晶圆上制造完成后晶切割即获得半导体裸晶(或称为半导体晶粒)。半导体裸晶须通过针测仪器以检测其电气特性，检测其是否为不良品。检测为不合格的半导体裸晶将标上记号。检测为合格的半导体裸晶依其电气特性进行分类，再进行下一个封装制程。

具有上电极与下电极的半导体裸晶称为垂直型态半导体裸晶。不少半导体发光元件的结构即为垂直型态。现行垂直型态半导体裸晶需通过导电胶膜进行电气特性测试，以缩短测试时间，提升整体制成效率。

请参阅图1，图1是先前技术的导电胶膜1的局部剖面视图。

如图1所示，先前技术的导电胶膜1包含导电布10、导电网格12以及导电胶层14。导电网格12是将导电浆(例如，银浆)以网版印刷方式形成于导电布10上。导电胶层14接合于导电网格12，并且通过导电网格12的多个网目122与导电布10接合。

先前技术的导电胶膜1能与测试系统(未示出于图1中)配合，用以测试垂直型态半导体裸晶(未示出于图1中)。先前技术的导电胶膜1放置于测试系统的平台上。垂直型态半导体裸晶的下电极粘着于导电胶层14上。测试系统的第一探针抵接垂直型态半导体裸晶的上电极。测试系统的第二探针经由先前技术的导电胶膜1与垂直型态半导体裸晶的下电极成电气连接。测试系统进而对垂直型态半导体裸晶施加测试电流以进行电气特性测试。

然而，受限于网版印刷的解析度，导电网格12的网目122尺寸也受限，其网目122尺寸最小为0.1mm×0.2mm。但是，随着有些类型的垂直型态半导体裸晶朝向小尺寸甚至极小尺寸发展，例如，mini-LED与micro-LED等。mini-LED的尺寸为100～200μm(长边或宽边)，micro-LED的尺寸为100μm以下(长边或宽边)。上述小尺寸与极小尺寸的垂直型态半导体裸晶粘着于先前技术的导电胶膜1上，测试系统的第一探针抵接垂直型态半导体裸晶的上电极上，垂直型态半导体裸晶很可能发生歪斜，导致电气特性测试无法进行。

此外，运用银浆来制造先前技术的导电胶膜1，会导致先前技术的导电胶膜1的制造成本过高。

此外，先前技术的导电胶膜1的导电胶层14因需配合以银浆形成的导电网格12，导致运用先前技术的导电胶膜1进行垂直型态半导体裸晶的电气特性测试且施加大电流测试后，测试过程中垂直型态半导体裸晶的温度升高，受测的垂直型态半导体裸晶的下电极表面常常会有残胶的情形发生。

此外，运用先前技术的导电胶膜1进行垂直型态半导体裸晶的电气特性测试，其测试精准度仍有提升的空间。

实用新型内容

因此，本实用新型所欲解决的技术问题在于提供一种能供小尺寸垂直型态半导体裸晶进行电气特性测试的导电胶膜。并且，运用根据本实用新型的导电胶膜进行垂直型态半导体裸晶的电气特性测试，尤其是针对极小尺寸垂直型态半导体裸晶的电气特性测试，其测试精准度明显提升。