[实用新型]慢提拉装置及硅片清洗机有效
申请号: | 201921000915.7 | 申请日: | 2019-06-28 |
公开(公告)号: | CN210110720U | 公开(公告)日: | 2020-02-21 |
发明(设计)人: | 黎彬 | 申请(专利权)人: | 阜宁协鑫光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 闫晓欣 |
地址: | 224400 江苏省盐*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 慢提拉 装置 硅片 清洗 | ||
1.一种慢提拉装置,其特征在于,包括:
机台;
平衡板,用以放置装有硅片的花篮;所述平衡板具有相对的第一侧边和第二侧边;
升降机构,位于所述平衡板的下侧;所述升降机构可驱动所述平衡板升起并驱使所述平衡板的第一侧边高于所述平衡板的第二侧边;以及
挡件,设于所述机台上,并位于所述平衡板的第一侧边的上升路径上的上方;所述挡件用以在所述平衡板的第一侧边上升至预设高度时,阻挡所述平衡板的第一侧边继续上升,使得所述升降机构可驱使所述平衡板的第二侧边上升。
2.根据权利要求1所述的慢提拉装置,其特征在于,所述升降机构的顶端设有顶杆,所述顶杆沿平行于所述平衡板的第一侧边的方向延伸。
3.根据权利要求2所述的慢提拉装置,其特征在于,沿所述顶杆的延伸方向,所述顶杆的长度大于等于所述平衡板的宽度。
4.根据权利要求1所述的慢提拉装置,其特征在于,所述挡件的下表面设有缓冲垫。
5.根据权利要求1所述的慢提拉装置,其特征在于,所述挡件上设有一端开口的滑槽,所述滑槽的开口端位于所述挡件的下表面;所述平衡板的上表面设有可插入所述滑槽的凸起;所述凸起可在所述滑槽内沿垂直于所述平衡板的第一侧边的方向移动。
6.根据权利要求1所述的慢提拉装置,其特征在于,所述平衡板下表面设有限位部,以限制所述升降机构的顶端相对所述平衡板沿垂直于所述第一侧边的方向移动。
7.根据权利要求1所述的慢提拉装置,其特征在于,所述平衡板具有相对的第三侧边和第四侧边;所述升降机构上升可将所述平衡板顶起并驱使所述平衡板的第三侧边高于所述平衡板的第四侧边。
8.根据权利要求1所述的慢提拉装置,其特征在于,所述升降机构包括可沿竖直方向伸缩的气缸。
9.根据权利要求1所述的慢提拉装置,其特征在于,所述升降机构包括电机、升降杆以及用以限制所述升降杆转动的限位件;所述升降杆具有沿轴向延伸的圆孔;所述电机的输出轴插设于所述升降杆的圆孔内,并与所述升降杆螺纹连接。
10.一种硅片清洗机,其特征在于,包括清洗槽以及权利要求1至9任一项所述的慢提拉装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造