[实用新型]显示单元和显示设备有效
申请号: | 201920227743.0 | 申请日: | 2019-02-20 |
公开(公告)号: | CN209418506U | 公开(公告)日: | 2019-09-20 |
发明(设计)人: | 刘彬 | 申请(专利权)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成丽杰 |
地址: | 065500 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 平坦化层 绝缘阻挡层 阳极层 驱动晶体管 漏极 本实用新型 阳极 显示设备 通孔 长期稳定 发光单元 通孔侧壁 水汽 源极 阻挡 侵蚀 暴露 贯穿 | ||
本实用新型涉及显示技术领域,公开了一种显示单元和显示设备。该显示单元包括:驱动晶体管、平坦化层、绝缘阻挡层和阳极层;所述驱动晶体管具有源极和漏极,所述平坦化层设置于所述驱动晶体管上方;所述绝缘阻挡层设置于所述平坦化层上方,且有通孔贯穿平坦化层和绝缘阻挡层并使漏极暴露出来;所述阳极层设置于所述绝缘阻挡层上方,所述阳极层还设置于通孔侧壁上且通过所述通孔与漏极相接触。本实用新型中,绝缘阻挡层阻挡阳极层与平坦化层直接接触,保护阳极不被平坦化层的水汽侵蚀,提高阳极的稳定性,实现发光单元长期稳定工作的目的。
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,特别涉及一种显示单元和显示设备。
背景技术
AMOLED(Active-matrix organic light-emitting diode,有源矩阵有机发光二极体)目前已经商业化,应用于日常生活当中的多种显示设备上。其结构一般是由TFT(ThinFilm Transistor,薄膜晶体管)驱动背板和OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)组成,二者通过其中的阳极结构相连接,因此,阳极结构对于AMOLED的稳定性起到至关重要的作用。
需要说明的是,在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种显示单元和显示设备,在显示单元中绝缘阻挡层的作用是避免阳极层与平坦化层直接接触,保护阳极不被平坦化层的水汽侵蚀,提高阳极的稳定性,实现发光单元长期稳定工作的目的。
为了实现上述目的,本实用新型的实施方式提供了一种显示单元,包括:驱动晶体管、平坦化层、绝缘阻挡层和阳极层,其中,驱动晶体管具有源极和漏极,平坦化层设置于驱动晶体管上方;
绝缘阻挡层设置于平坦化层上方,且有通孔贯穿平坦化层和绝缘阻挡层并使漏极暴露出来;
阳极层设置于绝缘阻挡层上方,阳极层还设置于通孔侧壁上且通过通孔与漏极相接触。
本实用新型的实施方式还提供了一种显示设备,包括上述的显示单元。
本实用新型实施方式相对于现有技术而言,平坦化层暴露出驱动晶体管的漏极,绝缘阻挡层未遮挡通孔,使得阳极层通过平坦化层上的通孔与漏极接触,在显示单元工作过程中漏极提供空穴,阳极层与漏极连接实现空穴传导,保证显示单元能够进行稳定的工作。在平坦化层与阳极层之间设置绝缘阻挡层,避免阳极层直接与平坦化层接触,绝缘阻挡层保护阳极层不会被来自平坦化层的气体腐蚀,进而确保显示单元能够进行长期稳定的工作。
另外,绝缘阻挡层设置于通孔侧壁上。
该实施方式中,在平坦化层内的通孔侧壁上设置绝缘阻挡层,能够进一步有效保护阳极层不与平坦化层接触,实现对阳极层完全有效的保护,进一步提高了器件的稳定性。
另外,阳极层包括:金属阳极层,金属阳极层设置于绝缘阻挡层上方。
另外,阳极层还包括:导电氧化物阳极层,导电氧化物阳极层设置于金属阳极层上方。
该实施方式中,阳极层包括金属阳极层和导电氧化物阳极层,金属阳极层能够保证阳极层良好的导电率和反射率,导电氧化物阳极层可确保阳极层合适的功函数,提高阳极的稳定性。
另外,金属阳极层包括银层或银合金层。
另外,导电氧化物阳极层为氧化铟锡层。
另外,绝缘阻挡层包括氧化硅层,氧化硅层设置于平坦化层上方。
另外,绝缘阻挡层还包括:氮化硅层,氮化硅层设置于氧化硅层上方或氮化硅层设置于氧化硅层与平坦化层之间,且阳极层设置于氮化硅层上方或阳极层设置于氧化硅层上方。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的