[实用新型]显示单元和显示设备有效
| 申请号： | 201920227743.0 | 申请日： | 2019-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN209418506U | 公开（公告）日： | 2019-09-20 |
| 发明（设计）人： | 刘彬 | 申请（专利权）人： | 云谷（固安）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 065500 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 平坦化层 绝缘阻挡层 阳极层 驱动晶体管 漏极 本实用新型 阳极 显示设备 通孔 长期稳定 发光单元 通孔侧壁 水汽 源极 阻挡 侵蚀 暴露 贯穿 | ||
1.一种显示单元，其特征在于，包括驱动晶体管、平坦化层、绝缘阻挡层和阳极层，其中，所述驱动晶体管具有源极和漏极，所述平坦化层设置于所述驱动晶体管上方；
所述绝缘阻挡层设置于所述平坦化层上方，且有通孔贯穿所述平坦化层和所述绝缘阻挡层并使所述漏极暴露出来；
所述阳极层设置于所述绝缘阻挡层上方，所述阳极层还设置于所述通孔侧壁上且通过所述通孔与所述漏极相接触。
2.根据权利要求1所述的显示单元，其特征在于，所述绝缘阻挡层还设置于所述通孔侧壁上。
3.根据权利要求1或2所述的显示单元，其特征在于，所述阳极层包括金属阳极层，所述金属阳极层设置于所述绝缘阻挡层上方。
4.根据权利要求3所述的显示单元，其特征在于，所述阳极层还包括导电氧化物阳极层，所述导电氧化物阳极层设置于所述金属阳极层上方。
5.根据权利要求3所述的显示单元，其特征在于，所述金属阳极层包括银层或银合金层。
6.根据权利要求4所述的显示单元，其特征在于，所述导电氧化物阳极层为氧化铟锡层。
7.根据权利要求1或2所述的显示单元，其特征在于，所述绝缘阻挡层包括氧化硅层，所述氧化硅层设置于所述平坦化层上方。
8.根据权利要求7所述的显示单元，其特征在于，所述绝缘阻挡层还包括氮化硅层，所述氮化硅层设置于所述氧化硅层上方或所述氮化硅层设置于所述氧化硅层与所述平坦化层之间，且所述阳极层设置于所述氮化硅层上方或所述阳极层设置于所述氧化硅层上方。
9.根据权利要求1或2所述的显示单元，其特征在于，所述绝缘阻挡层的厚度为10纳米至100纳米。
10.一种显示设备，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的显示单元。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
