[发明专利]红光LED外延片、LED外延片的分割方法及LED外延片结构

说明书

本发明公开了红光LED外延片、LED外延片的分割方法及LED外延片结构。一种红光LED外延片的分割方法，包括：在红光LED外延片的至少两个第一位置上涂覆保护层；将涂覆保护层之后的红光LED外延片进行氧化处理以在第二位置形成氧化分割层以将所述红光LED外延片分割成至少两个红光LED芯片,所述第一位置与所述第二位置不重叠。本发明的技术方案，通过在红光LED外延片的至少两个第一位置上涂覆保护层，然后氧化未涂覆保护层的第二位置以将红光LED外延片进行分割，解决了红光LED外延片分割成本高、损伤大的问题，达到了降低红光LED外延片分割成本和减小红光LED外延片分割损伤的效果。

技术领域

本发明实施例涉及LED外延片制造技术，尤其涉及一种红光LED外延片、LED外延片的分割方法及LED外延片结构。

背景技术

目前，通常用光刻蚀技术或等离子轰击技术将芯片上的红光LED芯片进行物理分割，等离子体轰击像素点边缘时会对红光LED芯片的边缘造成损伤，并且光刻蚀工艺成本较高，刻蚀的精度也相对较差，难以处理微小尺寸的Micro-LED。

发明内容

本发明提供一种红光LED外延片、LED外延片的分割方法及LED外延片结构，以实现降低红光LED外延片分割成本和减小红光LED外延片分割损伤的效果。

第一方面，本发明实施例提供了一种红光LED外延片的分割方法，包括：

在红光LED外延片的至少两个第一位置上涂覆保护层；

将涂覆保护层之后的红光LED外延片进行氧化处理以在第二位置形成氧化分割层以将所述红光LED外延片分割成至少两个红光LED芯片,所述第一位置与所述第二位置不重叠。

可选的，所述保护层的材料为磷化铟。

可选的，在所述将涂覆保护层之后的红光LED外延片进行氧化处理以在第二位置形成氧化分割层以将所述红光LED外延片分割成至少两个红光LED芯片之后，还包括：

将氧化处理后的所述红光LED外延片放入清洗液中以去除所述保护层。

可选的，在所述将氧化处理后的所述红光LED外延片放入清洗液中以去除所述保护层之后，包括：

在所述红光LED芯片上制备电极。

可选的，所将涂覆保护层之后的红光LED外延片进行氧化处理以在第二位置形成氧化分割层以将所述红光LED外延片分割成至少两个红光LED芯片包括：

将涂覆保护层之后的红光LED外延片放入水蒸气和/或氧气环境中进行氧化处理以在第二位置形成氧化分割层以将所述红光LED外延片分割成至少两个红光LED芯片。

可选的，所述将涂覆保护层之后的红光LED外延片进行氧化处理以在第二位置形成氧化分割层包括：

将涂覆保护层之后的红光LED外延片放入至少100℃的环境中进行氧化处理以在第二位置形成氧化分割层以将所述红光LED外延片分割成至少两个红光LED芯片。

可选的，所述清洗液的PH值小于7。

第二方面，本发明实施例还提供了一种LED外延片的分割方法，包括：

在LED外延片的至少两个第一位置上涂覆保护层；

将涂覆保护层之后的LED外延片进行氧化处理以在第二位置形成氧化分割层以将所述LED外延片分割成至少两个LED芯片,所述第一位置与所述第二位置不重叠。