[发明专利]单晶薄膜复合基板及其制造方法

权利要求书

1.一种单晶薄膜复合基板，所述单晶薄膜复合基板包括：

衬底基板；

隔离层，位于衬底基板上；

补偿层，位于衬底基板下；

单晶薄膜功能层，位于隔离层上，

其中，隔离层和补偿层由相同的材料形成。

2.根据权利要求1所述的单晶薄膜复合基板，其中，隔离层与补偿层具有相同的厚度。

3.根据权利要求1所述的单晶薄膜复合基板，其中，隔离层与补偿层均为二氧化硅层或者均为氮化硅层。

4.根据权利要求1所述的单晶薄膜复合基板，其中，

单晶薄膜功能层为铌酸锂层或钽酸锂层，

衬底基板为硅基板、铌酸锂基板或钽酸锂基板。

5.根据权利要求1所述的单晶薄膜复合基板，其中，通过等离子体化学气相沉积或热氧化法形成隔离层和补偿层。

6.一种制备单晶薄膜复合基板的方法，所述方法包括以下步骤：

在衬底基板上沉积隔离层，并且同时在衬底基板下沉积补偿层；

通过离子注入法将离子注入到原始基板的表面，从而在原始基板中形成薄膜层、分离层和余料层，其中，薄膜层位于原始基板的所述表面，分离层位于薄膜层和余料层之间；

对隔离层的表面和原始基板的所述表面进行等离子体处理，以形成键合体；

对键合体加热达预定时间，使得薄膜层与余料层分离以得到单晶薄膜功能层，从而得到包括衬底基板、补偿层、隔离层和单晶薄膜功能层的单晶薄膜复合基板，

其中，隔离层和补偿层由相同的材料形成。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，隔离层和补偿层具有相同的厚度。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，利用等离子体化学气相沉积或热氧化法形成隔离层和补偿层。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，当利用热氧化法形成隔离层和补偿层时，衬底基板为硅基板。

10.根据权利要求6所述的方法，其中，隔离层和补偿层均为二氧化硅层或者均为氮化硅层。