[发明专利]自对准图形结构的制备方法在审
| 申请号： | 201910362619.X | 申请日： | 2019-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN111863602A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 王科;李天慧;杨瑞鹏 | 申请（专利权）人： | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 对准 图形 结构 制备 方法 | ||
1.一种自对准图形结构的制备方法，其特征在于，所述自对准图形结构的制备方法包括如下步骤：
提供衬底；
于所述衬底上形成图形化光刻胶层，所述图形化光刻胶层包括若干个图形结构；
对所述图形化光刻胶层进行处理，以于各所述图形结构的侧壁及上表面形成聚合物层；
使用含硅气体对所述聚合物层进行处理，以将所述聚合物层转化为含硅材料层；
对所述含硅材料层进行处理，以将所述含硅材料层转化为自对准图形结构材料层；
去除位于所述图形结构的上表面的所述自对准图形结构材料层；
去除所述图形化光刻胶层。
2.根据权利要求1所述的自对准图形结构的制备方法，其特征在于，于所述衬底上形成图形化光刻胶层包括如下步骤：
于所述衬底上形成正性光刻胶层；
对所述正性光刻胶层进行曝光，以定义出所述图形结构的形状及位置；
将曝光后的所述正性光刻胶层进行负显影，以得到所述图形化光刻胶层。
3.根据权利要求1所述的自对准图形结构的制备方法，其特征在于，所述图形化光刻胶层含有光酸，对所述图形化光刻胶层进行烘烤，以于各所述图形结构的侧壁及上表面形成所述聚合物层。
4.根据权利要求3所述的自对准图形结构的制备方法，其特征在于，对所述图形化光刻胶层进行烘烤的温度小于200℃。
5.根据权利要求1所述的自对准图形结构的制备方法，其特征在于，所述含硅气体包括硅烷。
6.根据权利要求5所述的自对准图形结构的制备方法，其特征在于，使用所述含硅气体对所述聚合物层进行处理过程中的处理温度小于200℃。
7.根据权利要求1所述的自对准图形结构的制备方法，其特征在于，使用氧等离子体对所述含硅材料层进行处理以形成所述自对准图形结构材料层，所述自对准图形结构材料层包括氧化硅层。
8.根据权利要求7所述的自对准图形结构的制备方法，其特征在于，使用氧等离子体对所述含硅材料层进行处理过程中的处理温度小于200℃。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的自对准图形结构的制备方法，其特征在于，提供所述衬底之后且于所述衬底上形成图形化光刻胶层还包括如下步骤：
于所述衬底的上表面形成待刻蚀材料层；
于所述待刻蚀材料层的上表面形成硬掩膜层；
所述图形化光刻胶层形成于所述硬掩膜层的上表面。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于芯恩（青岛）集成电路有限公司，未经芯恩（青岛）集成电路有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910362619.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
