[发明专利]声波谐振器、包括其的声波谐振器滤波器及其制造方法在审
| 申请号： | 201910122951.9 | 申请日： | 2019-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN110611493A | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 李泰京;金泰润;金锺云;李文喆;姜龙进;李男贞 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H03H9/15 | 分类号： | H03H9/15;H03H9/54;H03H9/02;H03H3/02 |
| 代理公司： | 11286 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 武慧南;钱海洋 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 延伸部 声波谐振器 内置层 压电层 不对称 谐振部 中央部 基板 滤波器 多边形平面 多边形形状 第二电极 第一电极 顺序地层 形状对应 外周 升高 制造 | ||
本公开提供一种声波谐振器、包括其的声波谐振器滤波器及其制造方法，所述声波谐振器包括：基板；以及谐振部，包括顺序地层叠在所述基板上的第一电极、压电层和第二电极，并且被划分为中央部以及沿着所述中央部的外周设置的延伸部，其中，所述谐振部被构造为具有不对称的多边形平面，在所述延伸部中的所述压电层的下方设置有内置层，并且在所述延伸部中的所述压电层被构造为具有升高以符合所述内置层的形状的形状，并且所述内置层被构造为具有与所述延伸部的形状对应的不对称的多边形形状。
本申请要求于2018年6月15日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0068717号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。
技术领域
本申请涉及一种声波谐振器、包括该声波谐振器的声波谐振器滤波器及制造声波谐振器的方法。
背景技术
随着近来无线通信装置趋向小型化的趋势，需要用于射频组件的小型化技术。实现半导体薄膜晶圆制造技术的体声波(BAW)谐振器型滤波器是代表性的装置。
在体声波(BAW)谐振器中，通过将压电介电材料沉积在作为实现压电介电材料的压电特性的半导体基板的硅晶圆上而产生谐振的薄膜型元件可用作滤波器。
这种体声波(BAW)谐振器可在移动通信装置、紧凑和轻质的滤波器(用于化学装置、生物装置和类似装置)、振荡器、谐振元件和声学谐振质量传感器和类似装置中实现。
已经进行了各种结构形状和功能的研究以改善体声波(BAW)谐振器的特性和性能，并且已经改进了制造BAW谐振器的方法。
发明内容
提供本发明内容来以按照简化的形式对所选择的构思进行介绍，并在下面的具体实施方式中进一步描述所述构思。本发明内容既不意在确定所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意在用作帮助确定所要求保护的主题的范围。
在一个总体方面，一种声波谐振器包括：基板；以及谐振部，包括在所述基板上顺序地层叠的第一电极、压电层和第二电极，并且被划分为中央部以及沿着所述中央部的外周设置的延伸部，其中，所述谐振部被构造为具有不对称的多边形平面，在所述延伸部中的所述压电层的下方设置有内置层，并且在所述延伸部中的所述压电层被构造为具有升高以符合所述内置层的形状的形状，并且所述内置层被构造为具有与所述延伸部的形状对应的不对称的多边形形状。
所述内置层可被构造为包括具有倾斜表面的倾斜部分，所述倾斜部分具有随所述内置层距所述中央部的距离的增大而增大的厚度，所述压电层可包括设置在所述倾斜表面上的倾斜部。
所述内置层可被构造为具有至少一部分，所述至少一部分设置在所述第一电极的下方或所述第二电极的下方，或者设置在所述第一电极与所述压电层之间。
所述第二电极可被构造为具有设置在所述延伸部中的至少一部分。
设置在所述延伸部中的所述第二电极可被构造为设置在所述压电层的所述倾斜部的倾斜表面上，并且可被构造为被设置为具有比所述压电层的所述倾斜部的所述倾斜表面的面积小的面积。
设置在所述延伸部内的所述第二电极可被构造为设置在所述压电层的所述倾斜部的整个倾斜表面上。
所述压电层可包括从所述压电层的所述倾斜部向外延伸的延伸部，并且所述第二电极可被构造为设置在所述压电层的所述倾斜部和所述压电层的所述延伸部上。
所述内置层可包括至少三条边和连接所述至少三条边的至少三个顶点，并且所述倾斜表面在所述至少三条边中的每条边的中央处的倾斜角可与所述倾斜表面在所述至少三条边中的每条边的端部处的倾斜角不同。
所述倾斜表面在所述内置层的所述至少三条边中的每条边的中央处的倾斜角可小于所述倾斜表面在所述至少三条边中的每条边的端部处的倾斜角。
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