[发明专利]白光有机发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种白光有机发光二极管，其特征在于，包括：从下往上依次层叠设置的ITO玻璃基底、空穴传输层、纳米粒子层、白光发光层、电子传输层以及复合金属阴极层，所述纳米粒子层由二氧化硅包裹后的银钠米立方和二氧化硅纳米球混合构成。

2.如权利要求1所述的白光有机发光二极管，其特征在于：二氧化硅包裹后的银纳米立方和二氧化硅纳米球组成的混合纳米粒子溶于乙醇，且所述混合纳米粒子中二氧化硅包裹后的银纳米立方与二氧化硅纳米球的体积之比为1:0.5-1:3，所述混合纳米粒子与乙醇的体积百分比为1％-3％。

3.如权利要求1所述的白光有机发光二极管，其特征在于：所述二氧化硅包裹后的银钠米立方的边长为30-50nm，二氧化硅包裹层的厚度为8-15nm，所述二氧化硅纳米球的直径为10-50nm。

4.如权利要求1所述的白光有机发光二极管，其特征在于：所述空穴传输层由适合溶液法制膜的空穴传输材料制成，所述空穴传输层的厚度为40-60nm。

5.如权利要求1所述的白光有机发光二极管，其特征在于：所述白光发光层由主体材料和发光材料制成，所述发光材料为蓝、橙互补色发光材料或者红、绿、蓝三基色发光材料。

6.如权利要求5所述的白光有机发光二极管，其特征在于：所述白光发光层的厚度为60-80nm。

7.如权利要求1所述的白光有机发光二极管，其特征在于：所述电子传输层由适合蒸镀制膜法的电子传输材料制成，所述电子传输层的厚度为40-60nm。

8.如权利要求1所述的白光有机发光二极管，其特征在于：所述复合金属阴极层由功函数较低的金属材料制成，所述复合金属阴极层的厚度为80-130nm。

9.一种白光有机发光二极管的制备方法，适用于权利要求1～8中任一项所述的白光有机发光二极管，其特征在于：所述白光有机发光二极管的制备方法主要包括以下步骤：

步骤1：将ITO玻璃基底依次放入丙酮、乙醇和去离子水中分别超声清洗，经氮气吹干后置于烘箱中烘干；

步骤2：在清洗干净的ITO玻璃基底上旋涂空穴传输层；

步骤3：将二氧化硅包裹后的银纳米立方和二氧化硅纳米球组成的混合纳米粒子溶解于乙醇，所述混合纳米粒子中二氧化硅包裹后的银纳米立方与二氧化硅纳米球的体积之比为1:0.5-1:3，混合纳米粒子与乙醇的体积百分比为1％-3％，旋涂制备纳米粒子层；

步骤4：将旋涂了空穴传输层和纳米粒子层的ITO玻璃基底放入氮气手套箱中，然后将提前配置好的发光层溶液旋涂在纳米粒子层上，并退火形成白光发光层；

步骤5：将步骤4中得到的样品放入真空蒸镀室，依次蒸镀形成电子传输层和复合金属阴极层。

10.如权利要求9所述的白光有机发光二极管的制备方法，其特征在于：旋涂制备纳米粒子层时旋涂的转速为2000rpm/s，旋涂时间为40-60s。