[发明专利]带状单元版图及存储器版图、带状单元结构及存储器有效
申请号: | 201910040754.2 | 申请日: | 2019-01-16 |
公开(公告)号: | CN111446236B | 公开(公告)日: | 2023-08-08 |
发明(设计)人: | 马晓媛;姜敏;刘晶;黄珊;李智 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H10B20/00 |
代理公司: | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人: | 高静;李丽 |
地址: | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 带状 单元 版图 存储器 结构 | ||
一种带状单元版图及存储器版图、带状单元结构及存储器,带状单元版图包括:第一版图,包括两个平行排列的条形有源区图形和至少一个有源连接区图形,有源区图形的延伸方向为第一方向,与第一方向相垂直的为第二方向,有源连接区图形位于两个有源区图形之间;第二版图,包括多个间隔设置的栅极图形,沿第二方向横跨两个有源区图形且沿第一方向平行排列,相邻两条栅极图形呈镜像对称;其中,每一个有源连接区图形位于相邻两条栅极图形之间。本发明一方面改善了栅极图形的形状一致性,并降低了栅极图形总面积和单根栅极图形的面积,从而提高栅极层的寄生负载均一性、减低寄生负载,进而在减小存储器整体版图尺寸的同时,提高所形成存储器的性能。
技术领域
本发明实施例涉及半导体制造领域,尤其涉及一种带状单元版图及存储器版图、带状单元结构及存储器。
背景技术
随着半导体技术的不断发展,对于高容量的半导体存储装置的需求日益增涨,半导体器件的存储速度也不断的提高,只读存储器(read only memory,ROM)是一种只能读出事先存储数据的固态半导体存储器,其特性是一旦储存资料就无法再将之改变或删除。通常用于不需经常变更资料的电子设备或电脑系统中,资料不会因为电源关闭而消失。
ROM中通常设有多个带状结构(strap line),所述带状结构用于连接相邻两个存储单元阵列(bitcell array)的栅极结构,并为器件提供接触区(pickup)的区域。
发明内容
本发明实施例解决的问题是提供一种带状单元版图及存储器版图、带状单元结构及存储器,在减小存储器版图尺寸的同时,改善存储器的性能。
为解决上述问题,本发明实施例提供一种带状单元版图,包括:第一版图,包括两个平行排列的条形有源区图形和至少一个有源连接区图形,所述有源区图形的延伸方向为第一方向,与所述第一方向相垂直的方向为第二方向,所述有源连接区图形位于所述两个有源区图形之间;第二版图,包括多个间隔设置的栅极图形,所述多个栅极图形沿所述第二方向横跨所述两个有源区图形且沿所述第一方向平行排列,相邻两条栅极图形呈镜像对称;其中,每一个所述有源连接区图形位于相邻两条栅极图形之间。
相应的,本发明实施例提供一种存储器版图,包括:多个存储单元阵列版图,所述多个存储单元阵列版图沿第三方向平行排列;至少一个带状结构版图,在所述第三方向上,所述带状结构版图位于相邻存储单元阵列版图之间并与所述相邻存储单元阵列版图相邻接,所述带状结构版图包括至少一个本发明实施例所述的带状单元版图,在每一个带状结构版图中,多个所述带状单元版图沿所述第一方向排列,且相邻带状单元版图相邻接,其中,所述第二方向与所述第三方向相同。
相应的,本发明实施例提供一种采用本发明实施例所述带状单元版图所形成的带状单元结构,包括:基底;位于所述基底中的两个平行排列的条形有源区,所述有源区的延伸方向为第一方向,与所述第一方向相垂直的方向为第二方向;至少一个有源连接区,位于所述两个有源区之间的基底中;位于所述基底上的多个间隔设置的栅极层,所述多个栅极层沿所述第二方向横跨所述两个有源区且沿所述第一方向平行排列,相邻两条栅极层呈镜像对称;其中,每一个所述有源连接区位于相邻两条栅极层之间。
相应的,本发明实施例提供一种存储器,包括:多个存储单元阵列,所述多个存储单元阵列沿第三方向平行排列;至少一个带状结构,在所述第三方向上,所述带状结构位于相邻存储单元阵列之间并与所述相邻存储单元阵列相邻接,所述带状结构包括至少一个本发明实施例所述的带状单元结构,在每一个带状结构中,多个所述带状单元结构沿所述第一方向排列,且相邻带状单元结构相邻接,其中,所述第二方向与所述第三方向相同。
与现有技术相比,本发明实施例的技术方案具有以下优点:
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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