[发明专利]标准单元图形的筛选方法

说明书

一种标准单元图形的筛选方法，包括：在特征单元图案组沿第二方向的两侧分别设置第一附加图案组，第一附加图案组包括奇数个第一附加图案，所述标准单元的图形以及标准单元的图形周围的第一附加图案组构成第一测试总图案；在特征单元图案组沿第二方向的两侧分别设置第二附加图案组，第二附加图案组包括偶数个第二附加图案，所述标准单元的图形以及标准单元的图形周围的第二附加图案组构成第二测试总图案；采用奇数环规则判断模块对第一测试总图案和第二测试总图案分别进行奇数环规则判断，进而判断标准单元中电源线图形和地线图形能够被拆分在相同的掩膜板中还是在不同的掩膜板中。所述方法降低了运行负荷。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种标准单元图形的筛选方法。

背景技术

半导体集成电路发展到20纳米～14纳米工艺节点的时候，由于光刻时掩膜边缘不够锐利，光刻机刻出来的线宽和间距无法得到保证。为此，提出了双重掩膜版来实现光刻的技术，即双重掩膜(double patterning)技术。

双重掩膜(double patterning)技术的思想是：在版图设计中所有图形分为两部分图形，该两部分图形之间的间距大于光刻极限分辨率，两部分图形分别采用不同的掩膜版。

在此基础上，引入了奇数环(odd ring)规则，奇数环(odd ring)规则为：距离足够小的图形构成的环中，如果环中的图形数量为奇数，就违反了这条规则。

对于标准单元，不仅需要考虑自身的图形是否满足奇数环规则，还需要考虑不同的标准单元在整块芯片上相互拼接起来是否违反奇数环规则。

然而，现有的标准单元图形的筛选方法的运行负荷较大。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种标准单元图形的筛选方法，以降低运行负荷。

为解决上述问题，本发明提供一种标准单元图形的筛选方法，包括：提供若干不同类型的标准单元，各标准单元的图形包括特征单元图案组、电源线图形和地线图形，在每个标准单元中，所述电源线图形和地线图形分别位于所述特征单元图案组沿着第一方向的两侧；在特征单元图案组沿第二方向的两侧分别设置第一附加图案组，第二方向垂直于第一方向，第一附加图案组包括奇数个第一附加图案，所述标准单元的图形以及标准单元的图形周围的第一附加图案组构成第一测试总图案；采用奇数环规则判断模块对第一测试总图案进行奇数环规则判断，若第一测试总图案满足奇数环规则，则标准单元中电源线图形和地线图形能够被拆分在相同的掩膜板中；在特征单元图案组沿第二方向的两侧分别设置第二附加图案组，第二附加图案组包括偶数个第二附加图案，所述标准单元的图形以及标准单元的图形周围的第二附加图案组构成第二测试总图案；采用奇数环规则判断模块对第二测试总图案进行奇数环规则判断，若第二测试总图案满足奇数环规则，则标准单元中电源线图形和地线图形能够被拆分在不同的掩膜板中。

可选的，在第一测试总图案中，第一附加图案组和电源线图形之间的间距、以及第一附加图案组和地线图形之间的间距均分别小于特征尺寸，第一附加图案组与特征单元图案组之间的间距大于特征尺寸。

可选的，当第一附加图案组包括若干第一附加图案时，相邻第一附加图案之间的间距小于特征尺寸。

可选的，在第二测试总图案中，第二附加图案组和电源线图形之间的间距、以及第二附加图案组和地线图形之间的间距均分别小于特征尺寸，第二附加图案组与特征单元图案组之间的间距大于特征尺寸。

可选的，当第二附加图案组包括若干第二附加图案时，相邻第二附加图案之间的间距小于特征尺寸。

可选的，设置第一附加图案组后，所述特征单元图案组一侧的第一附加图案组中的第一附加图案的数量，与所述特征单元图案组另一侧的第一附加图案组中的第一附加图案的数量相同；或者，设置第一附加图案组后，所述特征单元图案组一侧的第一附加图案组中的第一附加图案的数量，与所述特征单元图案组另一侧的第一附加图案组中的第一附加图案的数量不同。