[发明专利]包覆荧光体、其制造方法、以及荧光体片和发光装置

权利要求书

1.一种包覆荧光体，其特征在于，具有：

无机荧光体颗粒；以及

包覆所述无机荧光体颗粒的氧化硅覆膜，

关于所述包覆荧光体的ICP发光分光分析中的所述氧化硅覆膜的氧原子与硅原子的摩尔比O/Si为2.60以下，并且

其中所述无机荧光体颗粒以下述通式(1)～下述通式(3)中的任一者表示：

Sr_1－xGa₂S₄：Eu_x···通式(1)；

(Sr_1－yCa_y)_1－xGa₂S₄：Eu_x···通式(2)；

(Ba_zSr_1－z)_1－xGa₂S₄：Eu_x···通式(3)；

所述通式(1)～所述通式(3)中，x满足0＜x＜1，y满足0＜y＜1，z满足0＜z＜1。

2.根据权利要求1所述的包覆荧光体，其中，

所述氧化硅覆膜的平均厚度为3nm～200nm。

3.根据权利要求1或2所述的包覆荧光体，其中，

所述氧化硅覆膜的氧原子与硅原子的摩尔比O/Si为2.30以上且2.60以下。

4.一种制造根据权利要求1至3中任一项所述的包覆荧光体的方法，其特征在于，具有以下工序：

包覆工序，在无机荧光体颗粒的表面形成氧化硅覆膜，得到包覆荧光体；以及

加热工序，在超过所述氧化硅覆膜的形成温度的温度、且惰性环境下加热所述包覆荧光体。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，

所述加热的温度低于1000℃。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述加热的温度为600℃以上且900℃以下。

7.一种荧光体片，其特征在于，

含有权利要求1～3中任一项所述的包覆荧光体。

8.一种发光装置，其特征在于，

具有权利要求7所述的荧光体片。