[发明专利]配置有单晶滤声器器件的整体单片集成式射频前端模块在审

专利信息
申请号: 201880018191.0 申请日: 2018-01-12
公开(公告)号: CN110419102A 公开(公告)日: 2019-11-05
发明(设计)人: 肖恩·R·吉布;戴维·艾歇勒;罗摩克里希纳·韦特力;马克·D·博姆加登;杰弗里·B·希利 申请(专利权)人: 阿库斯蒂斯有限公司
主分类号: H01L23/66 分类号: H01L23/66;H01L23/552;H01L23/485;H01L25/07;H01L23/498
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 何月华
地址: 美国北卡*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 单晶外延 射频前端模块 单晶器件 单片集成 电路功能 无源器件 堆叠体 滤声器 衬底 单晶 单片 覆盖 配置 制造
【说明书】:

一种用于整体单片单晶器件的制造方法和结构。该方法可以包括:形成覆盖在衬底上的第一单晶外延层以及形成覆盖在第一单晶外延层上的一个或多个第二单晶外延层。可以处理所述第一单晶外延层和所述一个或多个第二单晶外延层以形成一个或多个有源或无源器件部件。通过该过程,形成的器件包括集成有多种电路功能的整体外延堆叠体。

相关申请的交叉引用

本申请出于所有目的而通过引用并入如下同时递交的、全部共同拥有的专利申请:在2014年6月6日递交的、名称为“RESONANCE CIRCUIT WITH A SINGLE CRYSTALCAPACITOR DIELECTRIC MATERIAL”的美国专利申请No.14/298,057(代理方案号A969RO-000100US),在2014年6月6日递交的、名称为“METHOD OF MANUFACTURE FOR SINGLECRYSTAL CAPACITOR DIELECTRIC FOR A RESONANCE CIRCUIT”的美国专利申请No.14/298,076(代理方案号A969RO-000200US)(现在是在2017年1月3日签发的美国专利No.9,537,465),在2014年6月6日递交的、名称为“INTEGRATED CIRCUIT CONFIGURED WITH TWO ORMORE SINGLE CRYSTAL ACOUSTIC RESONATOR DEVICES”的美国专利申请No.14/298,100(代理方案号A969RO-000300US),在2014年7月25日递交的、名称为“WAFER SCALE PACKAGING”的美国专利申请No.14/341,314(代理方案号A969RO-000400US),在2014年7月31日递交的、名称为“MOBILE COMMUNICATION DEVICE CONFIGURED WITH A SINGLE CRYSTAL PIEZORESONATOR STRUCTURE”的美国专利申请No.14/449,001(代理方案号A969RO-000500US),在2014年8月26日递交的、名称为“MEMBRANE SUBSTRATE STRUCTURE FOR SINGLE CRYSTALACOUSTIC RESONATOR DEVICE”的美国专利申请No.14/469,503(代理方案号A969RO-000600US),在2016年3月11日递交的、名称为“METHOD OF MANUFACTURE FOR SINGLECRYSTAL ACOUSTIC RESONATOR DEVICES USING MICRO-VIAS”的美国专利申请No.15/068,510(代理方案号A969RO-000700US),在2016年7月27日递交的、名称为“METHOD OFMANUFACTURE FOR SINGLE CRYSTAL ACOUSTIC RESONATOR DEVICES USING MICRO-VIAS”的美国专利申请No.15/221,358(代理方案号A969RO-000710US),以及在2016年11月2日递交的、名称为“STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURE FOR ACOUSTIC RESONATOR ORFILTER DEVICES USING IMPROVED FABRICATION CONDITIONS AND PERIMETER STRUCTUREMODIFICATIONS”的美国专利申请No.15/341,218(代理方案号A969RO-000900US)。

技术领域

根据本发明,提供了总体涉及电子器件的技术。更具体地,本发明提供涉及用于整体单片单晶器件、体声波(bulk acoustic wave)谐振器器件、单晶滤波器和谐振器器件、功率放大器(Power Amplifier,PA)、低噪音放大器(Low Noise Amplifier,LNA)、开关等的制造方法和结构的技术。仅通过示例方式,本发明已应用于尤其用于通信设备、移动设备、计算设备的单晶谐振器器件。

背景技术

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