[发明专利]一种湿法化学腐蚀装置及湿法化学腐蚀工艺有效
申请号: | 201811619524.3 | 申请日: | 2018-12-27 |
公开(公告)号: | CN109712865B | 公开(公告)日: | 2021-06-22 |
发明(设计)人: | 王丽江;王勇威;范文斌;胡天水;夏楠君 | 申请(专利权)人: | 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所) |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 王术兰 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 湿法 化学 腐蚀 装置 工艺 | ||
1.一种湿法化学腐蚀装置,其特征在于,包括第一摆臂、第二摆臂和第三摆臂;
所述第一摆臂、所述第二摆臂和所述第三摆臂围设形成用于盛放晶圆的工作空间;
所述第一摆臂、所述第二摆臂和所述第三摆臂分别用于向所述晶圆顶面喷淋药液、兆声水和氮气;
所述第一摆臂、所述第二摆臂和所述第三摆臂围绕所述晶圆的中心设置且端部均设置有喷嘴,且各自的喷嘴均能够转动至所述晶圆上方;
所述喷嘴与喷嘴旋转机构传动连接,所述喷嘴旋转机构用于驱动所述喷嘴自转;
所述湿法化学腐蚀装置还包括:承载机构、第一喷嘴机构和第二喷嘴机构;
所述承载机构位于所述工作空间,所述承载机构包括载物台和电机,所述载物台与所述电机的输出轴连接,且能够绕自身轴线转动;所述载物台用于支撑所述晶圆;
所述第一喷嘴机构的喷嘴朝向所述晶圆的顶面,用于向所述晶圆的顶面喷淋DI水;
所述第二喷嘴机构的喷嘴朝向所述晶圆的底面,用于向所述晶圆的底面喷淋DI水或所述氮气,并且,所述第二喷嘴机构的喷嘴轴线与所述载物台的轴线具有夹角。
2.根据权利要求1所述的湿法化学腐蚀装置,其特征在于,还包括位于所述工作空间内的药液收集壳体,所述药液收集壳体底部与升降组件连接;所述药液收集壳体能够在所述升降组件的带动下实现升降以收集并隔离喷淋至所述晶圆表面的药液。
3.根据权利要求2所述的湿法化学腐蚀装置,其特征在于,所述升降组件包括连接杆和气缸滑台;
所述连接杆一端与所述药液收集壳体底部连接,另一端与所述气缸滑台的活动端连接;
所述气缸滑台的固定端安装于装置底部;
所述气缸滑台的活动端能够沿所述连接杆的长度方向运动,并带动所述药液收集壳体升降。
4.根据权利要求1所述的湿法化学腐蚀装置,其特征在于,还包括能够容纳所述第一摆臂、所述第二摆臂和所述第三摆臂的壳体,所述壳体侧面设有进料口。
5.根据权利要求1所述的湿法化学腐蚀装置,其特征在于,所述载物台设置为真空吸盘。
6.一种采用如权利要求2-3任一项所述的湿法化学腐蚀装置的湿法化学腐蚀工艺,其特征在于,包括:
所述药液收集壳体上升;
所述第一摆臂的喷嘴转动至所述晶圆上方后向所述晶圆顶面喷淋所述药液;
所述药液收集壳体收集药液余液后下降退出;
所述第二摆臂的喷嘴转动至所述晶圆上方后向所述晶圆顶面喷淋所述兆声水;
所述第三摆臂的喷嘴转动至所述晶圆上方后向所述晶圆顶面喷淋所述氮气。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所),未经北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所)许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811619524.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造