[发明专利]芯片及键合垫的形成方法

说明书

本发明提供了一种芯片及键合垫的形成方法，所述键合垫的形成方法包括：形成一内层金属层于一衬底上；形成一图案化的第一钝化层于所述内层金属层上，所述图案化的第一钝化层暴露出所述内层金属层的部分；形成一键合垫于所述图案化的第一钝化层上，所述键合垫与暴露出的所述内层金属层连接。在本发明提供的芯片及键合垫的形成方法中，探针接触键合垫进行测试时，即使穿入键合垫也不会使内层金属暴露，最终提高了芯片的可靠性，并且减少了芯片报废的几率。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种芯片及键合垫的形成方法。

背景技术

集成电路芯片测试和封装过程中，芯片需要与外部测试单元连接从而对芯片的功能进行测试，芯片上有由顶层金属铝刻蚀制成的铝键合垫，用来测试的探针与铝键合垫接触，继而将芯片内部的电信号传输到外部。现有技术的芯片的键合垫的一种结构如图1，形成铝键合垫的一个方法为，在内层金属层110上沉积第一钝化层120，根据将要形成的键合垫的位置和大小对第一钝化层120进行刻蚀，刻蚀完成之后，再在第一钝化层120和内层金属层110上面沉积铝形成垫金属层130，之后再对垫金属层130进行刻蚀形成铝键合垫，铝键合垫与内层金属层110连接，从而将内层金属层110与外部测试电路连通。然而，铝金属刻蚀形成的铝键合垫在后续测试和封装过程中容易被探针穿透，导致内层金属层110铜裸露，而铜裸露出来可能产生可靠性的问题，甚至可能导致芯片报废。

发明内容

本发明的目的在于提供一种芯片和键合垫的形成方法，可以使得键合垫被探针穿透时，不会漏出内层金属，从而减少可靠性的问题发生，减少芯片报废的几率。

为了达到上述目的，本发明提供了一种键合垫的形成方法，所述键合垫的形成方法包括：

形成一内层金属层于一衬底上；

形成一图案化的第一钝化层于所述内层金属层上，所述图案化的第一钝化层暴露出所述内层金属层的部分；

形成一键合垫于所述图案化的第一钝化层上，所述键合垫与暴露出的所述内层金属层连接。

可选的，在所述的键合垫的形成方法中，形成所述图案化的第一钝化层于所述内层金属层上的步骤包括：

形成一第一钝化层于所述内层金属层上；

刻蚀所述第一钝化层以形成所述图案化的第一钝化层，所述图案化的第一钝化层具有一沟槽，所述沟槽暴露出所述内层金属层的部分。

可选的，在所述的键合垫的形成方法中，所述沟槽呈环形。

可选的，在所述的键合垫的形成方法中，形成所述键合垫于所述图案化的第一钝化层上的步骤包括：

形成一垫金属层于所述图案化的第一钝化层上，所述垫金属层还填充所述沟槽并与暴露出的所述内层金属层连接；

对所述垫金属层进行刻蚀，暴露出部分所述图案化的第一钝化层以形成填充所述沟槽并延伸覆盖部分所述图案化的第一钝化层的键合垫。

可选的，在所述的键合垫的形成方法中，在形成所述键合垫之后，所述键合垫的形成方法还包括形成图案化的第二钝化层，所述图案化的第二钝化层覆盖所述键合垫的边缘部分。

可选的，在所述的键合垫的形成方法中，形成所述图案化的第二钝化层的步骤包括：

在所述键合垫和所述图案化的第一钝化层上沉积一第二钝化层；

对所述第二钝化层进行刻蚀，去除所述第二钝化层中对准所述键合垫中间的部分，暴露出部分所述键合垫以形成所述图案化的第二钝化层。

可选的，在所述的键合垫的形成方法中，所述第一钝化层和第二钝化层的材料均选自氮化硅或氧化硅。