[发明专利]加工方法在审
申请号: | 201810239578.0 | 申请日: | 2018-03-22 |
公开(公告)号: | CN108695145A | 公开(公告)日: | 2018-10-23 |
发明(设计)人: | 竹之内研二 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/78 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 庞东成;褚瑶杨 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 被加工物 切断预定线 层叠体 切削 加工 激光加工步骤 激光加工槽 板状 氧化剂 金属 切削刀具 激光束 切削液 吸收性 有机酸 工作台 波长 背面 照射 | ||
本发明提供一种加工方法,在对与切断预定线重叠地形成有包含金属的层叠体的板状的被加工物进行加工时,能够在维持加工品质的同时提高加工速度。其对在表面侧具有与切断预定线重叠地形成的包含金属的层叠体的板状的被加工物进行加工,包括:保持步骤,利用保持工作台对被加工物的表面侧进行保持;激光加工步骤,在实施保持步骤后,在被加工物的背面沿着切断预定线照射相对于被加工物具有吸收性的波长的激光束,形成未到达层叠体的激光加工槽;切削步骤,在实施激光加工步骤后,利用切削刀具对激光加工槽的底部进行切削,将被加工物与层叠体一起沿着切断预定线切断,在切削步骤中,一边对被加工物供给包含有机酸和氧化剂的切削液,一边执行切削。
技术领域
本发明涉及用于对与切断预定线重叠地形成有包含金属的层叠体的板状的被加工物进行加工的加工方法。
背景技术
在以移动电话、个人计算机为代表的电子设备中,具备电子电路等器件的器件芯片成为了必要的构成要素。器件芯片例如如下得到:利用两条以上的切断预定线(间隔道)对由硅等半导体材料形成的晶片的表面进行划分,在各区域形成器件后,沿着该切断预定线将晶片切断,由此得到器件芯片。
近年来,大多在上述那样的晶片的切断预定线上配置被称为TEG(Test ElementsGroup,测试元件组)的评价用元件(参见例如专利文献1、2等),用于评价器件的电特性。通过在切断预定线上配置TEG,能够最大限度地确保器件芯片的取得数,并且能够与晶片的切断同时除去评价后不需要的TEG。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平6-349926号公报
专利文献2:日本特开2005-21940号公报
发明内容
发明所要解决的课题
但是,若要使用磨粒分散于结合材料中而成的切削刀具对TEG之类的包含金属的层叠体进行切削、除去,则层叠体所含的金属在切削时伸长,容易产生被称为毛刺的突起。并且,若利用切削刀具进行的加工的速度提高,放热量增加,则毛刺也变大。因此,在该方法中,需要将加工速度抑制得较低,使得加工品质不降低。
本发明是鉴于上述问题而完成的,其目的在于提供一种加工方法,该加工方法在对与切断预定线重叠地形成有包含金属的层叠体的板状的被加工物进行加工时,能够在维持加工品质的同时提高加工速度。
用于解决课题的手段
根据本发明的一个方式,提供一种加工方法,该加工方法对板状的被加工物进行加工,该板状的被加工物在表面侧具有与切断预定线重叠地形成的包含金属的层叠体,该加工方法具备下述步骤:保持步骤,利用保持工作台对被加工物的表面侧进行保持;激光加工步骤,在实施该保持步骤后,在被加工物的背面沿着该切断预定线照射相对于被加工物具有吸收性的波长的激光束,形成未到达该层叠体的激光加工槽;和切削步骤,在实施该激光加工步骤后,利用切削刀具对该激光加工槽的底部进行切削,将被加工物与该层叠体一起沿着该切断预定线切断;在该切削步骤中,一边对被加工物供给包含有机酸和氧化剂的切削液,一边执行切削。
在上述本发明的一个方式中,可以进一步具备保护部件配设步骤,在实施该切削步骤之前,在被加工物的该表面配设保护部件,在隔着该保护部件对被加工物的该表面侧进行保持的状态下实施该切削步骤。
另外,在上述本发明的一个方式中,优选在该切削步骤中使用厚度比该激光加工槽的宽度薄的该切削刀具。
另外,在上述本发明的一个方式中,可以进一步具备保护部件配设步骤,在实施该激光加工步骤之后且在实施该切削步骤之前,在被加工物的该背面配设保护部件,该切削步骤在隔着该保护部件对被加工物的该背面侧进行保持的状态下实施。
发明效果
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造