[发明专利]曝光装置中的光线转换结构、曝光装置及曝光方法有效
申请号: | 201810145982.1 | 申请日: | 2018-02-12 |
公开(公告)号: | CN108287455B | 公开(公告)日: | 2020-06-26 |
发明(设计)人: | 董小龙;朴松鹰;江俊波;张昭;赵巍;张兴强;闫虹旭;韦永强;王军才 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G02F1/35 |
代理公司: | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人: | 刘延喜 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 曝光 装置 中的 光线 转换 结构 方法 | ||
本发明提供了一种曝光装置中的光线转换结构,包括光线引导组件与光线转化组件,所述光线引导组件,用于将曝光装置对位光线中的特定波长光线引入所述光线转化组件;所述光线转化组件,用于将所述光线引导组件引入的特定波长光线转换为用作曝光的预设波长光线。能将特定波长光线通过光线转换结构后得到预设波长光线,光线引导组件将特定波长光线通过引导组件的路径进入到光线转化组件中的过程中,同时降低光线在光线引导组件中的损失,进而提高光线转换效率。同时,本发明优选的实施例应用于曝光装置时,避免了曝光光能量的浪费,提升了曝光能量同时提升了曝光灯使用寿命,降低了曝光灯爆灯的风险。
技术领域
本发明涉及光线转换、显示器件制作、曝光技术领域,具体而言,本发明涉及一种曝光装置中的光线转换结构、曝光装置及曝光方法。
背景技术
汞灯发射光线的光谱中只有250nm~450nm范围内的谱线会被用于曝光,在汞灯曝光过程中,由于需要集中使用250nm~450nm范围内谱线的光,其会增加曝光灯的损耗,同时在曝光能量大时,曝光灯还容易出现爆灯的情况,缩短了曝光灯的使用寿命。汞灯发射光线的光谱中还存在550~600nm范围内的光谱线,常规情况下,550~600nm范围内的光谱线仅仅用于对位。然而汞灯光谱线中550~600nm范围内的谱线宽度很大,仅将其用于对位比较浪费汞灯的光源能量。
发明内容
本发明的目的旨在至少解决上述技术缺陷之一,特别是对位光线中曝光能量浪费的问题。
本发明实施例提供的一种曝光装置中的光线转换结构,包括光线引导组件与光线转化组件,
所述光线引导组件,用于将曝光装置对位光线中的特定波长光线引入所述光线转化组件;
所述光线转化组件,用于将所述光线引导组件引入的特定波长光线转换为用作曝光的预设波长光线。
优选地,所述光线转化组件包括转换光线的非线性晶体。
进一步地,所述非线性晶体为非线性和频晶体,所述光线转化组件中还包括将所述特定波长光线汇聚于所述非线性和频晶体的第一透镜,所述第一透镜设于所述非线性和频晶体的入光侧。
进一步地,所述光线转化组件中还包括第二透镜,所述第二透镜设于所述非线性和频晶体远离入光侧的一侧。
进一步地,所述光线转化组件中还包括偏振片,所述偏振片设于所述第一透镜上且远离所述非线性和频晶体的一侧。
进一步地,所述第一透镜远离所述非线性和频晶体的一侧设有所述特定波长光线的增透膜,所述第一透镜远离所述非线性和频晶体的一侧和靠近所述非线性和频晶体的一侧均设有所述预设波长光线的反射膜。
进一步地,所述第二透镜远离所述非线性和频晶体的一侧设有所述特定波长光线的反射膜,所述第二透镜远离所述非线性和频晶体的一侧和靠近所述非线性和频晶体的一侧均设有所述预设波长光线的增透膜。
进一步地,还包括设于所述光线引导组件与所述光线转化组件之间的聚光组件,所述聚光组件用于改变和汇聚所述光线引导组件的出射光,以使所述出射光能够汇聚与所述光线转化组件中。
进一步地,还包括设于所述光线引导组件与所述聚光组件之间的掩膜版,所述掩膜板用于将所述光线引导组件引导出且与所述聚光组件相对应的出射光能够出射到所述聚光组件上。
本发明还提供了一种曝光装置,包括任一技术方案所述曝光装置中的光线转换结构,所述光线转换结构的出光侧设有曝光结构,以使所述光线转换结构出射光线能入射至所述曝光结构,所述光线转换结构远离所述出光侧的一侧设有发光结构,且所述发光结构与所述光线引导组件连接,以便所述光线引导组件将所述发光结构发出的光引入所述光线转换结构,所述发光结构发出用于对位的特定波长光线。
一种曝光方法,应用于所述的曝光装置,曝光方法包括:
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