[发明专利]抗辐射的D触发器电路在审
申请号: | 201780097962.5 | 申请日: | 2017-12-29 |
公开(公告)号: | CN111819795A | 公开(公告)日: | 2020-10-23 |
发明(设计)人: | B·李;D·波斯特多;L·J·凯里;N·奇奥里诺;P·弗莱明;D·D·莫瑟尔 | 申请(专利权)人: | BAE系统信息和电子系统集成有限公司 |
主分类号: | H03K19/003 | 分类号: | H03K19/003;H03K3/356 |
代理公司: | 北京三幸商标专利事务所(普通合伙) 11216 | 代理人: | 刘卓然 |
地址: | 美国新罕*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 辐射 触发器 电路 | ||
1.一种触发器电路,包括:
单输入三态逆变器,其用于接收输入D;
双输入逆变器;
第一和第二SET滤波器;
双输入三态逆变器,其包括:第一输入,其用于从所述双输入逆变器接收输出信号;第二输入,其用于经由所述第一SET滤波器从所述双输入逆变器接收输出信号;以及输出,其用于经由所述第二SET滤波器将输出信号发送到所述双输入逆变器的第一输入和所述双输入逆变器的第二输入;和
单输入逆变器,其用于从所述双输入逆变器接收输入,从而为所述触发器电路提供输出Q。
2.根据权利要求1所述的触发器电路,其中,所述双输入逆变器包括串联连接在电源与地之间的p沟道晶体管和n沟道晶体管。
3.根据权利要求1所述的触发器电路,其中,所述双输入逆变器包括串联连接在电源与地之间的两个p沟道晶体管和两个n沟道晶体管。
4.根据权利要求1所述的触发器电路,其中,所述双输入三态逆变器包括双输入逆变器和传输门。
5.根据权利要求1所述的触发器电路,其中,所述双输入三态逆变器包括串联连接在电源与地之间的两个p沟道晶体管和两个n沟道晶体管。
6.根据权利要求1所述的触发器电路,其中,所述第一SET滤波器包括串联连接的两个逆变器和连接在所述两个逆变器之间的电容器。
7.根据权利要求6所述的触发器电路,其中,所述第二SET滤波器包括串联连接的两个逆变器和连接在所述两个逆变器之间的电容器。
8.一种触发器电路,包括:
第一单输入三态逆变器,其用于接收输入D;
第一双输入逆变器;
第一和第二SET滤波器;
第一双输入三态逆变器,其包括:第一输入,其用于从所述第一双输入逆变器接收输出信号;第二输入,其用于经由所述第一SET滤波器从第一所述双输入逆变器接收输出信号;以及输出,其用于经由所述第二SET滤波器将输出信号发送到所述第一双输入逆变器的第一输入和所述第一双输入逆变器的第二输入;
第二单输入三态逆变器,其用于接收来自所述第一双输入逆变器的输出;
第二双输入逆变器;
第三和第四SET滤波器;和
第二双输入三态逆变器,其包括:第一输入,其用于从所述第二双输入逆变器接收输出信号;第二输入,其用于经由所述第三SET滤波器从所述第二双输入逆变器接收输出信号;以及输出,其用于经由所述第四SET滤波器将输出信号发送到所述第二双输入逆变器的第一输入和所述第二双输入逆变器的第二输入,其中所述第二双输入逆变器为所述触发器电路提供输出Q。
9.根据权利要求8所述的触发器电路,其中,所述第一双输入逆变器包括串联连接在电源与地之间的p沟道晶体管和n沟道晶体管。
10.根据权利要求8所述的触发器电路,其中,所述第一双输入逆变器包括串联连接在电源和地之间的两个p沟道晶体管和两个n沟道晶体管。
11.根据权利要求8所述的触发器电路,其中,所述第二双输入逆变器包括串联连接在电源与地之间的p沟道晶体管和n沟道晶体管。
12.根据权利要求8所述的触发器电路,其中,所述第二双输入逆变器包括串联连接在电源与地之间的两个p沟道晶体管和两个n沟道晶体管。
13.根据权利要求8所述的触发器电路,其中,所述第一双输入三态逆变器包括双输入逆变器和传输门。
14.根据权利要求8所述的触发器电路,其中,所述第一双输入三态逆变器包括串联连接在电源与地之间的两个p沟道晶体管和两个n沟道晶体管。
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