[发明专利]以子块粒度管理固态驱动器缺陷冗余

说明书

系统、装置和方法可以提供响应于擦除命令而启动非易失性存储器的块的擦除，其中该块包括多个子块。另外，可以在单独子块的基础上跟踪关于所述多个子块的第一子集的擦除的失败，其中，所述擦除关于所述多个子块的第二子集是成功的。在一个示例中，允许使用多个子块的第二子集，而防止使用多个子块的第一子集。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年9月29日提交的美国非临时专利申请第15/280,725号的优先权的利益。

技术领域

实施例一般涉及擦除存储器结构。

背景技术

NAND型闪存(“NAND存储器”)可以在存储器的块中擦除。NAND光刻的发展可能导致更大的擦除块，其可以由子块(例如，块的1/32)中的NAND存储器内部管理。然而，在传统的解决方案中，子块擦除失败可能导致整个块被视为有缺陷，即使NAND存储器可能能够控制讨论的子块的失败。因此，可能不必要地浪费用户可曝光的存储器容量。另外，由于擦除块的大尺寸，冗余开销(例如，防止失败)可能相对较高。

附图说明

通过阅读以下说明书和所附权利要求，并参考以下附图，实施例的各种优点对于本领域技术人员将变得显而易见，其中：

图1是根据实施例的NAND阵列组织的示例的图示。

图2是根据实施例的子块擦除失败的示例的图示；

图3是根据实施例的操作存储器设备的方法的示例的流程图。

图4A和4B是根据实施例的擦除状态增强命令通信的示例的信令图；以及

图5是根据实施例的计算系统的示例的框图。

具体实施方式

为了在NAND型闪存(“NAND存储器”)半导体管芯中保持写带宽，可以增加页面大小和擦除块大小。在每次擦除操作之后，通过读取所有目标位并确保将它们设置为1来验证擦除操作的成功完成。在验证失败时，可以报告擦除失败以指示擦除块有缺陷。利用更密集的几何结构，每个擦除块可以被划分为更少数量的子块(例如，32)，并且可以以子块粒度检测擦除失败。如将更详细地讨论的，在遇到擦除失败时，非易失性存储器控制器可以检测失败的子块并将子块标记为有缺陷以防止数据存储到失败的子块。

现在转向图1，示出了用于非易失性存储器(NVM)(例如NAND存储器)的阵列组织11。图示的阵列组织11可以用于NAND闪存、三维(3D)NAND存储器阵列设备或其他存储器设备。非易失性存储器是不需要电力来维持介质存储的数据状态的存储介质。非易失性存储器的非限制性示例可包括以下中的任何一个或组合：固态存储器(诸如平面或3D NAND闪存或NOR闪存)、3D交叉点存储器、使用硫族化物相变材料的存储设备(例如，硫族化物玻璃)、字节可寻址非易失性存储器设备、铁电存储器、硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(SONOS)存储器、聚合物存储器(例如，铁电聚合物存储器)、铁电晶体管随机存取存储器(Fe-TRAM)奥氏存储器、纳米线存储器、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、其他各种类型的非易失性随机存取存储器(RAM)和磁存储型存储器。在一些实施例中，3D交叉点存储器可以包括无晶体管的可堆叠交叉点架构，其中存储器单元位于字线和位线的交叉处并且可单独寻址，并且其中位存储基于体电阻的变化。在特定实施例中，具有非易失性存储器的存储器模块可以符合联合电子设备工程委员会(JEDEC)颁布的一个或多个标准，例如JESD218、JESD219、JESD220-1、JESD223B、JESD223-1或其他合适的标准(此处引用的JEDEC标准可在jedec.org获得)。