[实用新型]半导体硅环蚀刻装置

说明书

技术领域

本实用新型属于半导体蚀刻技术领域，具体涉及一种半导体硅环蚀刻装置。

背景技术

半导体的蚀刻即是将半导体浸入蚀刻液中清除其表面附着的不需要的物质，保证其洁净纯度，现有的蚀刻装置中，针对呈圆盘或环状的半导体硅环，通常是将硅环挂在一般的工装上，再放到蚀刻槽里静止浸泡在蚀刻液中，这样硅环各部分因为受到的蚀刻液的压力作用不同，则清洗作用也不同，这样就会造成环产品表面蚀刻不均匀，从而降低产品的良品率。

实用新型内容

为解决以上技术问题，本实用新型提供了一种半导体硅环蚀刻装置，可以对半导体硅环实现均匀蚀刻，提高产品的良品率。

为实现上述目的，本实用新型技术方案如下：

一种半导体硅环蚀刻装置，其关键在于：包括上端敞口的清洗槽，所述清洗槽内设有支撑驱动机构，所述支撑驱动机构用于在蚀刻过程中保持半导体硅环在清洗槽内旋转。

采用以上方案，通过支撑驱动机构驱动半导体硅环在清洗槽内旋转，能基本保证半导体硅环各部分所受到的浸泡清洗压力或与蚀刻清洗液接触的时间基本相同，从而达到各部分均匀清洗蚀刻的目的，清洗蚀刻完成后，其表面呈现均匀光滑的性质，提高产品的良品率。

作为优选：所述支撑驱动机构包括至少三根平行设置的支撑轴，以及驱动至少其中一根支撑轴转动的驱动电机，各支撑轴在清洗槽内呈三角形或圆弧形分布。采用以上结构，简化支撑驱动结构，通过支撑轴对半导体硅环实现支撑，同时依靠支撑轴的转动来带动半导体硅环转动，结构简单，易于实现。

作为优选：所述支撑轴上沿其长度方向分布限位结构，所述限位结构用于在蚀刻过程中限制半导体硅环沿支撑轴的轴向发生移动。采用以上结构，通过限位结构来保证半导体硅环在旋转过程中位置保持不变，避免位置发生改变导致半导体硅环发生碰撞。

作为优选：所述限位结构为支撑轴上沿其长度方向分布的环槽，且各支撑轴上的环槽正对设置。采用以上结构，环槽可直接在支撑轴上加工而成，而不用引入更多的零部件来做为限位结构，降低生产制造成本，以及加工难度。

作为优选：所述支撑驱动机构还包括两个对称设置于支撑轴两端的安装板，所述支撑轴为三根，水平设置在清洗槽内，所述驱动电机安装在清洗槽的一侧，三根支撑轴呈三角形分布，其中靠近清洗槽底部的一根支撑轴与驱动电机连接。采用以上结构，通过三根支撑轴形成三角形的支撑结构，半导体硅环放入后与三根支撑轴后类似三角形的内接圆的形状与三根支撑轴抵接，而其重量主要由靠近清洗槽底壁的支撑轴承受，则设计驱动电机驱动这根支撑轴转动，能更好的保证半导体硅环随动的稳定性，减少打滑而停止转动的概率，进一步提高装置的可靠性。

作为优选：所述安装板对应两根未与驱动电机相连的支撑轴端部的位置均设有滑槽，两根所述支撑轴两端分别贯穿滑槽，并可沿所述滑槽滑动，所述支撑轴贯穿滑槽的端部均设有锁紧螺母。采用以上结构，这样可以调节三根支撑轴所形成的支撑三角形的大小，从而适应不同大小的半导体硅环，进一步提高了装置的适用性，且调节到位之后，可通过锁紧螺母进行锁定，保证了其调节后的稳定性。

作为优选：所述安装板下端两侧具有竖直向下延伸的突出部，所述清洗槽底壁对应突出部的位置设有卡槽，所述突出部嵌入卡槽中。采用以上结构，这样只需将与驱动电机连接的支撑轴断开之后，即可很快速的将整个支撑驱动机构从清洗槽内取出，方便对清洗槽内壁清洗，以及对支撑驱动机构的保养检查。

作为优选：所述驱动电机通过调速齿轮组与其中支撑轴连接。采用以上结构，可以更好的控制驱动电机传动轴传递给支撑轴的转速，从而实现对半导体硅环转速的控制，有利于更好的依靠转速来控制清洗蚀刻质量。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

采用本实用新型提供的半导体硅环蚀刻装置，在蚀刻清洗过程中，通过支撑驱动机构驱动半导体硅环在清洗槽中稳定旋转，确保半导体硅环各部分所受到清洗液的作用基本一致，即浸泡时间、浸泡深度等相同，从而提高半导体硅环表面清洗蚀刻的均匀性，提高产品的良品率，以及清洗蚀刻效率。

附图说明

图1为本实用新型的立体示意图；

图2为图1所示实施例的后视图；

图3为支撑驱动机构的结构示意图；

图4为清洗槽内部结构示意图；

图5为支撑驱动机构的安装结构示意图；

图6本实用新型的使用状态示意图。

具体实施方式

以下结合实施例和附图对本实用新型作进一步说明。