[实用新型]一种真空刻蚀用抽气装置有效
| 申请号： | 201720550489.9 | 申请日： | 2017-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN206947300U | 公开（公告）日： | 2018-01-30 |
| 发明（设计）人： | 张惠琳 | 申请（专利权）人： | 信丰福昌发电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 苏州润桐嘉业知识产权代理有限公司32261 | 代理人： | 赵丽丽 |
| 地址： | 341600 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 真空 刻蚀 用抽气 装置 | ||
1.一种真空刻蚀用抽气装置，包括真空腔(1)、抽气腔(2)和刻蚀设备(3)，其特征在于，所述真空腔(1)通过输出管(11)与抽气腔(2)相通连接，所述输出管(11)与真空腔(1)连接处设置有防回流弹片(13)，所述防回流弹片(13)的输出端对应抽气腔(2)设置，所述抽气腔(2)内对应输出管(11)的末端设置有挡板(22)，且抽气腔(2)内对应挡板(22)设置有反射板(23)，所述抽气腔(2)通过抽气管(211)安装有分子泵(21)，所述分子泵(21)设置在抽气腔(2)的外部，所述刻蚀设备(3)与真空腔(1)相通连接。
2.根据权利要求1所述的一种真空刻蚀用抽气装置，其特征在于，所述输出管(11)上设置有调节阀(12)，所述调节阀(12)为调节球阀。
3.根据权利要求1所述的一种真空刻蚀用抽气装置，其特征在于，所述挡板(22)呈折弯状设置，且挡板(22)折弯处设置有通口(221)。
4.根据权利要求1所述的一种真空刻蚀用抽气装置，其特征在于，所述抽气管(211)与抽气腔(2)连接处设置有防回流弹片二(212)，所述防回流弹片二(212)的输出端对应分子泵(21)设置。
5.根据权利要求1所述的一种真空刻蚀用抽气装置，其特征在于，所述反射板(23)固定安装在抽气腔(2)对应挡板(22)的上方，且反射板(23)设置有反射凸点(231)，所述反射凸点(231)的端部向抽气管(211)倾斜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
