[发明专利]一种ZnMgO日盲紫外探测器的封装方法及封装结构有效
申请号: | 201711443990.6 | 申请日: | 2017-12-27 |
公开(公告)号: | CN108172663B | 公开(公告)日: | 2019-12-24 |
发明(设计)人: | 陈星;刘可为;李炳辉;张振中;申德振 | 申请(专利权)人: | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/02;H01L31/0203;H01L31/09 |
代理公司: | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李婷婷;王宝筠 |
地址: | 130033 吉林省长春*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 紫外探测器 日盲 封装结构 封装 芯片 针脚 金属丝 环氧树脂 实验室测试 叉指电极 即插即用 芯片固定 性能参数 封装胶 可透过 未封装 紫外线 底座 裸露 暴露 申请 | ||
1.一种ZnMgO日盲紫外探测器的封装方法,其特征在于,包括:
提供底座、ZnMgO日盲紫外探测器芯片、两根金属丝、环氧树脂和封装胶,所述底座包括相对设置的第一表面和第二表面,以及连接所述第一表面和所述第二表面的侧面;所述ZnMgO日盲紫外探测器芯片包括衬底、ZnMgO层、叉指电极结构和两个铟粒;所述封装胶为可透过紫外线的封装胶;
将所述ZnMgO日盲紫外探测器芯片固定在所述底座的第一表面;
在所述底座上制作贯穿所述侧面和所述第一表面的通孔,所述通孔包括第一孔和第二孔,且所述第一孔的轴线和所述第二孔的轴线相互垂直;
将两根所述金属丝穿过所述通孔,所述金属丝的第一端凸出于所述第一表面,所述金属丝的第二端凸出于所述侧面;
将两根所述金属丝的第一端的端部分别连接至一个所述铟粒,所述金属丝的第二端作为所述ZnMgO日盲紫外探测器的针脚,其中,所述金属丝的第一端的非端部架空在所述ZnMgO日盲紫外探测器芯片和所述底座的上方;
在所述金属丝的第一端的非端部处点所述环氧树脂,所述环氧树脂覆盖位于所述第一表面背离所述第二表面一侧的金属丝、以及所述第一表面上的通孔口;
采用所述封装胶覆盖所述ZnMgO日盲紫外探测器芯片的叉指电极结构的叉指电极。
2.根据权利要求1所述的ZnMgO日盲紫外探测器的封装方法,其特征在于,所述在所述底座上制作贯穿所述侧面和所述第一表面的通孔,具体包括:
使用钻头在所述底座上的第一表面打出两个第一孔,所述第一孔的轴线垂直于所述第一表面;
使用钻头在所述底座的侧面打出两个第二孔,所述第二孔的轴线垂直于所述侧面;
且所述两个第二孔与所述两个第一孔一一对应连通,形成两个通孔。
3.根据权利要求2所述的ZnMgO日盲紫外探测器的封装方法,其特征在于,所述将两根所述金属丝穿过所述通孔,具体包括:
将一根所述金属丝穿过一个所述第一孔与所述第二孔连通的通孔;
将另一根所述金属丝穿过另一个所述第一孔与所述第二孔连通的通孔。
4.根据权利要求2所述的ZnMgO日盲紫外探测器的封装方法,其特征在于,所述将两根所述金属丝的第一端的端部分别连接至一个所述铟粒,具体包括:
分别将一根所述金属丝的第一端的端部按压至一个所述铟粒上,所述金属丝的第一端的非端部位置架空在所述ZnMgO日盲紫外探测器芯片和所述底座的上方;
使用导电胶点在所述金属丝与所述铟粒的接触位置;
将所述底座、所述ZnMgO日盲紫外探测器芯片、两根所述金属丝和所述导电胶放置在烘箱中,采用50℃-200℃的温度烘烤2小时-48小时,包括端点值。
5.根据权利要求2所述的ZnMgO日盲紫外探测器的封装方法,其特征在于,所述采用所述封装胶覆盖所述ZnMgO日盲紫外探测器芯片的叉指电极结构的叉指电极,具体包括:
在所述ZnMgO日盲紫外探测器芯片的叉指区域涂抹所述封装胶;
放置在烘箱中,采用50℃-200℃的温度烘烤2小时-48小时,包括端点值。
6.根据权利要求2所述的ZnMgO日盲紫外探测器的封装方法,其特征在于,所述将所述ZnMgO日盲紫外探测器芯片固定在所述底座的第一表面,具体包括:
采用胶合剂将所述ZnMgO日盲紫外探测器芯片粘在所述底座的第一表面。
7.根据权利要求1-6任意一项所述的ZnMgO日盲紫外探测器的封装方法,其特征在于,所述提供衬底和ZnMgO日盲紫外探测器芯片中,提供ZnMgO日盲紫外探测器芯片具体包括:
提供衬底;
在所述衬底的一个表面外延生长一层ZnMgO;
蒸镀金属电极;
光刻所述金属电极,形成两个叉指电极结构,所述叉指电极结构包括多个平行排列的叉指电极和与所述叉指电极垂直,并连接多个所述叉指电极的连接部;
在两个所述叉指电极结构的连接部上分别制作形成一个铟粒。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的