[发明专利]存储器及其制备方法、半导体器件

权利要求书

1.一种存储器的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基底，在所述基底上形成多个呈阵列排布的有源区，每一所述有源区中均定义有一个第一离子布植区和两个第二离子布植区，两个所述第二离子布植区分别位于所述第一离子布植区的两侧；以及

形成多条字线在所述基底内，每一所述有源区均与两条所述字线相交，以用于在所述有源区中分别构成两个存储晶体管的栅极，其中两条所述字线分别穿越所述有源区中位于所述第一离子布植区和所述第二离子布植区之间的部分，以利用所述字线使所述第一离子布植区和所述第二离子布植区相互分隔，所述第一离子布植区位于两条所述字线之间，所述第二离子布植区位于所述有源区中所述字线远离所述第一离子布植区的一侧，并且所述第一离子布植区与所述第二离子布植区的底部相对于所述基底的上表面在所述基底中的深度位置互不相同。

2.如权利要求1所述的存储器的制作方法，其特征在于，所述第一离子布植区的底部相对于所述基底的上表面在所述基底中的深度位置大于所述第二离子布植区的底部相对于所述基底的上表面在所述基底中的深度位置。

3.如权利要求1所述的存储器的制作方法，其特征在于，形成所述字线的步骤包括：

形成多个第一凹槽在所述基底内；

依次形成介质层与第一导电层在所述基底的所述第一凹槽中，所述介质层和所述第一导电层依次覆盖所述第一凹槽的内表面；

填充第二导电层在所述基底的所述第一凹槽中，所述第二导电层覆盖所述第一导电层和所述介质层；以及

对所述介质层、所述第一导电层以及所述第二导电层进行回刻蚀工艺，部分去除所述介质层、所述第一导电层和所述第二导电层，以在所述第一凹槽中位于剩余的所述第二导电层、剩余的第一导电层和剩余的介质层上方形成第二凹槽；

其中，在同一所述有源区中，对应在两个不同的所述第一凹槽内的两个所述第二导电层的回刻量不同，使得两个所述第二导电层的顶部相对于所述基底的上表面在所述基底中的深度位置互不相同。

4.如权利要求3所述的存储器的制作方法，其特征在于，在同一所述有源区中，所述第一凹槽的深度相同，使得两个所述第二导电层的底部相对于所述基底的上表面在所述基底中的深度位置相同。

5.如权利要求3所述的存储器的制作方法，其特征在于，在所述回刻蚀工艺中，对所述介质层与所述第一导电层的回刻深度大于对所述第二导电层的回刻深度，并且对所述介质层的两侧顶部仍相接于所述第一离子布植区与所述第二离子布植区。

6.如权利要求3所述的存储器的制作方法，其特征在于，形成所述第二凹槽之后，还包括：

填充绝缘层在所述第二凹槽内。

7.如权利要求3所述的存储器的制作方法，其特征在于，在所述基底内形成多个第一凹槽的步骤包括：

形成一硬掩膜层在所述基底上；

对所述硬掩膜层进行图形化，以暴露出部分所述基底；

以图形化的所述硬掩膜层为掩膜，对所述基底进行刻蚀，以形成所述第一凹槽在所述基底中。

8.如权利要求3所述的存储器的制作方法，其特征在于，所述第一离子布植区与所述第二离子布植区的底部相对于所述基底的上表面在所述基底中的深度位置均低于在所述有源区内所述第二导电层的最低顶部。

9.如权利要求1至8中任一项所述的存储器的制作方法，其特征在于，所述有源区之间形成有直线形和波浪形相交或两延伸方向直线形相交的隔离结构。