[发明专利]瞬态电压抑制器及其制作方法

权利要求书

1.一种瞬态电压抑制器，其特征在于：所述瞬态电压抑制器包括N型衬底、形成于所述N型衬底上的N型外延层、形成于所述N型外延层表面的第一、第二及第三P型注入区、形成于所述第一P型注入区表面的第一N型注入区、形成于所述第二P型注入区表面的第二N型注入区，所述第三P型注入区位于所述第一及第二P型注入区之间且连接所述第一及第二P型注入区，所述第一P型注入区与所述第一N型注入区构成第一二极管，所述第二P型注入区与所述第二N型注入区构成第二二极管，所述第三P型注入区与所述N型外延层及所述N型衬底构成第三二极管，所述三个二极管的正极相连接，所述三个二极管的负极用于连接外部电路。

2.如权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其特征在于：所述瞬态电压抑制器还包括形成于所述N型外延层与所述第一、第二及第三P型注入区上的氧化硅层、第一金属层及第二金属层，所述氧化硅层具有对应所述第一N型注入区的第一通孔及对应所述第二N型注入区的第二通孔，所述第一金属层包括第一部分及第二部分，所述第一部分经由所述第一通孔与所述第一N型注入区连接，所述第二部分经由所述第二通孔与所述第二N型注入区连接，所述第二金属层形成于所述N型衬底远离所述N型外延层的表面。

3.如权利要求2所述的瞬态电压抑制器，其特征在于：所述N型外延层表面还形成有第一隔离槽与第二隔离槽，所述第一隔离槽位于所述第一P型注入区远离所述第三P型注入区的一侧，所述第二隔离槽位于所述第二P型注入区远离所述第三P型注入区的一侧，所述第一隔离槽与所述第二隔离槽中填充氧化硅。

4.如权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其特征在于：所述第一P型注入区与所述第二P型注入区在同一注入步骤中注入P型杂质，所述第三P型注入区与所述第一P型注入区在不同的注入步骤中注入P型杂质。

5.如权利要求4所述的瞬态电压抑制器，其特征在于：所述第三P型注入区与所述N型衬底的距离小于所述第一P型注入区与所述N型衬底的距离以及所述第二P型注入区与所述N型衬底的距离，所述第三P型注入区的平面宽度宽于所述第一及第二P型注入区。

6.一种瞬态电压抑制器的制作方法，其包括以下步骤：

提供N型衬底，在所述N型衬底表面形成N型外延层，在所述N型外延层表面形成第一氧化硅层，以及形成贯穿所述第一氧化硅层且延伸至所述N型外延层中的第一隔离槽与第二隔离槽；

使用第一光刻胶作为掩膜，在所述氧化硅层中形成贯穿的第一注入窗口与第二注入窗口，利用所述第一注入窗口及所述第二注入窗口对所述N型外延层进行第一次P型注入；

进行热退火，对所述第一次P型注入区域进行推进，从而形成对应所述第一注入窗口的第一P型注入区以及对应所述第二注入窗口的第二P型注入区，进一步利用所述第一注入窗口与所述第二注入窗口进行N型注入，从而在所述第一P型注入区表面形成第一N型注入区以及在所述第二P型注入区表面形成第二N型注入区；

在所述第一隔离槽、第二隔离槽、所述第一及第二P型注入区表面、所述第一及第二N型注入区表面形成氧化硅，从而在所述第一、第二隔离槽的氧化硅上以及所述N型外延层、所述第一及第二P型注入区表面、所述第一及第二N型注入区表面形成第二氧化硅层；

使用第二光刻胶作为掩膜，在所述第二氧化硅层中形成贯穿的第三注入窗口，所述第三注入窗口位于所述第一及第二P型注入区之间，利用所述第三注入窗口进行第二次P型注入从而形成位于所述第一及第二P型注入区之间且连接所述第一及第二P型注入区的第三P型注入区；及

在所述第三注入窗口形成氧化硅从而形成整层的第三氧化硅层，使用第三光刻胶作为掩膜蚀刻所述第三氧化硅层从而形成位于所述第三氧化硅层中的第一通孔与第二通孔，其中所述好第一通孔对应所述第一N型注入区，所述第二通孔对应所述第二N型注入区。

7.所述方法还包括如下步骤：在所述第三氧化硅层上、所述第一通孔与所述第二通孔中形成第一金属层，蚀刻所述第一金属层形成第一部分及第二部分，其中所述第一部分经由所述第一通孔连接所述第一N型注入区，所述第二部分经由所述第二通孔连接所述第二N型注入区。