[发明专利]化学机械研磨方法在审
| 申请号： | 201711240744.0 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN108122751A | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 吴建荣 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;B24B37/04 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶圆表面 研磨 覆盖层 化学机械研磨 化学机械 膜厚分布 均一性 均匀性 晶圆 膜厚 圆顶 | ||
【权利要求书】：
1.一种化学机械研磨方法，其特征在于，包括：
提供晶圆，所述晶圆表面的均一性超出标准值；
在所述晶圆表面形成一覆盖层，所述覆盖层与所述晶圆顶层膜的材质相同；
判断所述晶圆表面膜厚分布，对所述晶圆表面进行研磨，且所述晶圆表面膜厚大的区域的研磨速率大于膜厚小的区域的研磨速率。
2.如权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于，所述覆盖层的厚度为所述晶圆顶层膜厚度最大值与最小值之差的1～2倍。
3.如权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于，所述晶圆顶层膜为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。
4.如权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于，所述覆盖层为氧化硅层、氮化硅层或氮氧化硅层。
5.如权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于，采用化学气相沉积工艺形成所述覆盖层，所述覆盖层的厚度为50nm～200nm。
6.如权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于，若所述晶圆中心区域的膜厚大于边缘区域的膜厚，所述中心区域的研磨速率大于所述边缘区域的研磨速率。
7.如权利要求1所述的化学机械研磨方法，其特征在于，若所述晶圆中心区域的膜厚小于边缘区域的膜厚，所述中心区域的研磨速率小于所述边缘区域的研磨速率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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