[发明专利]器件清洗方法

权利要求书

1.一种器件清洗方法，其特征在于，包括：

提供一晶圆基底，所述基底的第一表面上形成有图案化膜层；以及，

依序采用清洗液体和置换液体清洗所述基底，所述置换液体的表面张力小于所述清洗液体，其中，在以所述置换液体取代并排出所述清洗液体的过程中，以多段变速方式旋转所述基底，使得所述基底的旋转速度在第一旋转速度与第二旋转速度之间重复转换，以置换所述图案化膜层的凹陷区内的所述清洗液体。

2.如权利要求1所述的器件清洗方法，其特征在于，在以所述置换液体取代并排出所述清洗液体的过程中，所述第二旋转速度小于所述第一旋转速度，使所述置换液体渗透至所述图案化膜层的所述凹陷区。

3.如权利要求2所述的器件清洗方法，其特征在于，在依序采用所述清洗液体和所述置换液体清洗所述基底的步骤包括：

采用包含超纯水成分的所述清洗液体对所述基底上的所述图案化膜层进行液体清洗；以及，

采用包含异丙醇成分的所述置换液体对所述图案化膜层的所述凹陷区内空间进行调降表面张力的液体置换；

在所述液体清洗的过程以及所述液体置换的过程中，均旋转所述基底，所述基底的旋转速度在所述第一旋转速度与所述第二旋转速度之间重复转换。

4.如权利要求1所述的器件清洗方法，其特征在于，在以所述置换液体取代并排出所述清洗液体的过程中，在所述基底的第二表面导入温度高于常温的导热液体，以稳定所述基底的温度在一高于常温的温度值，所述第一表面与所述第二表面分别位于所述基底的两相对侧。

5.如权利要求4所述的器件清洗方法，其特征在于，所述导热液体包含超纯水成分，其温度介于70℃～80℃。

6.如权利要求2所述的器件清洗方法，其特征在于，所述第一旋转速度介于950转/秒～1050转/秒，所述第二旋转速度介于270转/秒～330转/秒。

7.如权利要求6所述的器件清洗方法，其特征在于，由所述第一旋转速度至所述第二旋转速度的过程有一减速过程，所述减速过程以950转/秒～1050转/秒的速度减速；由所述第二旋转速度至所述第一旋转速度的过程有一加速过程，所述加速过程以950转/秒～1050转/秒的速度加速。

8.如权利要求7所述的器件清洗方法，其特征在于，所述基底每维持一次第一旋转速度的时间介于5s～7s，所述基底每维持一次第二旋转速度的时间介于5s～7s，所述减速过程与所述加速过程的时间均介于0.65s～0.75s。

9.如权利要求3所述的器件清洗方法，其特征在于，在所述液体清洗和所述液体置换的开始阶段，所述基底均从静止开始旋转并加速至所述第一旋转速度，加速度为950转/秒²～1050转/秒²。

10.如权利要求3所述的器件清洗方法，其特征在于，在所述液体清洗中，所述清洗液体的流速介于1275毫升/分～1725毫升/分；在所述液体置换中，所述置换液体的流速介于210毫升/分～390毫升/分。

11.如权利要求4所述的器件清洗方法，其特征在于，在以所述置换液体取代并排出所述清洗液体的过程中，所述导热液体的流速介于360毫升/分～440毫升/分。

12.如权利要求1所述的器件清洗方法，其特征在于，所述置换液体取代并排出所述清洗液体的过程之后，所述器件清洗方法还包括：对所述基底进行旋转干燥，并去除所述基底中残留在所述图案化膜层中的所述置换液体。

13.如权利要求1至12中任一项所述的器件清洗方法，其特征在于，提供所述晶圆基底的步骤包括：以化学刻蚀方式形成所述图案化膜层的图案，并且所述图案化膜层包括多个支撑架结构层，并且所述图案化膜层的所述凹陷区包括多个电容安装孔，以适用于动态随机存取器芯片的电容制作工艺。