[发明专利]一种偏氟乙烯单体的生产方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种偏氟乙烯单体的生产方法。

背景技术

目前生产VDF单体的方法主要采用二氟一氯乙烷作为原料，通过空管裂解或者水蒸气稀释裂解，在经过一系列的前处理步骤，最终通过精馏得到VDF 单体。该方法在实际生产过程中，裂解不充分，导致原料浪费过大。

发明内容

本发明的目的在于旨在解决上述问题。

为了实现上述目的，本发明的技术方案是设计一种偏氟乙烯单体的生产方法，包括如下步骤：

1）采用二氟一氯乙烷作为原料，通入一级裂解炉，裂解温度450℃，反应1h；

2）将上述裂解气通入二级裂解炉，裂解温度1100℃；

3）将上述气体通过依次反应缓冲装置、压缩机、冷凝器，并采用回收装置回收未参与反应的二氟一氯乙烷，回收的二氟一氯乙烷重新进入一级裂解炉；

4）将经过冷凝器的偏氟乙烯通入脱轻塔脱除轻组分；

5）偏氟乙烯经过精馏塔等到偏氟乙烯单体。

本发明的优点和有益效果在于：提供一种偏氟乙烯单体的生产方法，将裂解过程分为一级裂解和二级裂解，一级裂解温度较低主要起到对原料气体的预热作用并部分裂解，二级裂解温度较高，对原料气体进一步裂解。采用本发明的一种偏氟乙烯单体的生产方法能有效提高生产效率，降低原料浪费。

具体实施方式

下面结合实施例，对本发明的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，而不能以此来限制本发明的保护范围。

实施例：

一种偏氟乙烯单体的生产方法，包括如下步骤：

1）采用二氟一氯乙烷作为原料，通入一级裂解炉，裂解温度450℃，反应1h；

2）将上述裂解气通入二级裂解炉，裂解温度1100℃；

3）将上述气体通过依次反应缓冲装置、压缩机、冷凝器，并采用回收装置回收未参与反应的二氟一氯乙烷，回收的二氟一氯乙烷重新进入一级裂解炉；

4）将经过冷凝器的偏氟乙烯通入脱轻塔脱除轻组分；

5）偏氟乙烯经过精馏塔等到偏氟乙烯单体。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。