[发明专利]一种钽酸锂晶体基片黑化方法

说明书

本发明公开了一种钽酸锂晶体基片黑化方法，将一种胶水与高纯度碳酸锂粉末按1～4：1～1.2的比例混合，通过毛刷涂抹丝的方法均匀涂覆于待处理钽酸锂晶体基片的两面，然后放入不锈钢容器中，在流量为10～30L/min氮气气氛下和低于待处理钽酸锂晶体基片的居里温度条件下对待处理钽酸锂晶体基片进行还原黑化处理。本发明在钽酸锂晶体基片的居里温度条件下对待处理钽酸锂或铌酸锂晶体基片进行还原黑化处理。经过黑化处理减弱其热释电性质，从而降低了SAW滤波器件制造成本并提升了生产效率。

技术领域

本发明涉及一种晶体材料黑化方法，具体涉及一种钽酸锂晶体基片黑化方法。

背景技术

目前，钽酸锂（LiTaO3，LT）和铌酸锂（LiNbO3，LN）晶体是一种集压电、铁电、热释电、非线性、电光、光弹、光折变等功能于一体的多功能材料,具有良好的热稳定性和化学稳定性。目前在声表面波器件、光通讯、激光及光电子等领域中的获得广泛的应用。特别是作为压电晶片材料,经过退火、极化、定向、切割、滚圆、做基准面、多线切割、研磨、抛光等工序所制作的衬底片具有优良的压电性能，可在镜面抛光好的衬底片上制作声表面波（SAW）和体波（BAW）器件。但是高热释电和光透过等性能也会增加器件制作成本及降低生产良率。LT、LN晶体的热释电系数分别为23x10-5和4x10-5C/（m2.K），传统未经处理的LT、LN晶体基片电阻率高(1013～1015Ωcm)。在SAW器件制作工序中温度变化使得LT、LN衬底表面产生大量电荷而无法快速释放导走，容易造成SAW器件梳状电极之间打火，导致器件的良品率降低，严重的会造成衬底片开裂，难以制作1GHz以上的SAW器件；另外，LT、LN衬底的高透过率，使光透过衬底后在衬底背面产生较强反射到前面，导致在光刻过程中降低梳状电极图案的分辨率，需在晶片背面镀吸光膜。虽然由LT、LN晶体的热释电导致的表面电荷积累可以被周围游离的电荷中和，但是往往需要数小时到十几小时；也可通过SAW器件设计或者在器件制作过程中减少温度波动，但会增加器件成本并降低生产效率，不适合批量生产。

研究表明,LT、LN的电导率和颜色在经历热处理时随着晶体内存在的氧空位浓度而变化。晶片在氢气或者其他惰性气体气氛中，晶片中的氧在还原剂的作用下从晶片中间往外扩散，提高了氧空位的浓度，氧空位获得一个电子形成F色心（F+），增强了电导率（也就降低了电阻率，电阻率与电导率是倒数关系），同时色心在可见光区域吸收较强，使晶片由无色透明变为棕色或者黑色。因此也将这种预处理方法称作“黑化”。“黑化”处理能有效降低LT、LN晶体或者衬底片的电阻率以减弱其热释电性质，制备无热释电性质的LT、LN晶体基片。降低了SAW滤波器件制造成本并提升了生产效率。

美国专利US6319430提出了在氢气组成的流动性还原气氛中高温热处理LN、LT晶片的方法，此种工艺效率较高，但还原工艺中使用的氢气容易引起爆炸的危险，因此对设备的要求较高，而且对LT来说高温热处理也容易出现退极化的现象。

日本专利JP2003-394575，JP2003-104176提出采用具有强还原性的单质材料C、Si、Mg、Al、Ca、Ti等一种或至少一种还原剂构成的粉末包裹覆盖在放入上述Si、C、Ti等上述一种或者至少一种容器中的LT晶体晶棒或者LT衬底片进行还原黑化处理LT晶体和晶体基片。此项技术由于采用包裹覆盖方式一方面增加了材料成本，另一方面很难控制单质材料的过度氧化，容易造成LT晶体压电性质的破坏。

日本专利JP2004-061862提出了将坯料形式的LT晶片包埋在碳粉末中或者置于碳容器中，然后在惰性或者还原性气体条件下，维持650℃到1650℃的温度至少4小时的热处理过程。此项技术尽管此种方法制备的LT晶片电阻率较低，热释电效应基本消除，但晶片已经退极化，需要重新极化，增加了工艺步骤与成本。