[发明专利]一种钽酸锂晶体基片黑化方法

权利要求书

1.一种钽酸锂晶体基片黑化方法，其特征在于,将一种胶水与高纯度碳酸锂粉末按1～4：1～1.2的比例混合，通过毛刷涂抹丝的方法均匀涂覆于待处理钽酸锂晶体基片的两面，然后放入不锈钢容器中，在流量为10～30L/min氮气气氛下和低于待处理钽酸锂晶体基片的居里温度条件下对待处理钽酸锂晶体基片进行还原黑化处理，具体步骤如下：

1)将胶水、高纯度碳酸锂粉末按1～4：1～1.2的比例混合；

2)将上述混合物通过毛刷涂抹的方法均匀涂覆于待黑化处理的钽酸锂晶体基片的两面；

3)将已涂覆完成的钽酸锂晶体基片放入烘箱进行烘干，并置于不锈钢容器中；

4)将装有所述钽酸锂晶体基片的不锈钢容器放入热处理炉中；

5)打开流动气体阀门和水封阀门，以10～30L/min的速率充入流动的氮气，并保持所述热处理炉的水封压强2KPa以上；

6)所述的热处理炉按照以室温开始70℃/H的升温速率，升温至300～550℃之间，热处理6～8小时；

7)待降至室温，关闭所述的流动气体阀门和水封阀门，打开热处理炉，取出钽酸锂晶体基片，黑化处理完成。

2.根据权利要求1所述的钽酸锂晶体基片的黑化处理方法，其特征在于：所述高纯度碳酸锂粉末为纯度高于99.99%的纯碳酸锂粉末。

3.根据权利要求1所述的钽酸锂晶体基片的黑化处理方法，其特征在于：低于待处理钽酸锂晶体基片的居里温度条件下对待处理钽酸锂或铌酸锂晶体基片进行还原黑化处理，其中低于待处理钽酸锂或铌酸锂晶体基片的居里温度为摄氏300～550℃之间。

4.根据权利要求1所述的钽酸锂晶体基片的黑化处理方法，其特征在于：所述待处理钽酸锂晶体为直径小于300mm的圆片或者长宽不大于300mm矩形片。