[发明专利]用于应力泄漏测量的电路和操作包括晶体管的器件的方法

说明书

公开了用于应力泄漏测量的电路和操作包括晶体管的器件的方法。根据实施例，一种电路包括：栅极驱动电路；输出晶体管以及耦接至栅极驱动电路的栅极；常通晶体管，该常通晶体管包括耦接至栅极驱动电路并耦接至输出晶体管的栅极的负载路径；以及上拉器件，其中，输出晶体管被配置成：当对耦接至输出晶体管的栅极的电流测试节点施加测量电压并且对常通晶体管的栅极施加关断电压时，在测试模式下提供测试泄漏电流；以及栅极驱动电路被配置成：当常通晶体管的栅极的电压经由上拉器件被上拉至上拉节点的电压时，在正常操作模式下向输出晶体管的栅极提供栅极驱动电压。

技术领域

本公开总体上涉及电子器件，更具体地，涉及用于应力(stress)泄漏测量的测试电路。

背景技术

电子器件遍布于从计算机到汽车的许多应用中。通常，电子器件具有指定的寿命并且预期在该时间内不会出故障。

制造缺陷可能会使电子器件偏离预期的性能或在电子器件的寿命期间的任意时间点处出故障。因此，通常在将电子器件运送给客户之前对电子器件进行测试以确保电子器件在由其规格说明设定的界限内运行。

缺陷可以被分类为内在缺陷或外在缺陷。外在缺陷是直接反映在电子器件的性能中的缺陷，并且通常在生产测试期间通过测量电子器件的性能并将其与规格说明进行比较来发觉。由于外在缺陷而损失的器件也称为早期失效(infant-mortality)。然而，某类型的制造缺陷在初始测试期间可能自身不会显露为正常使用故障，但是可能会使应用在电子器件寿命的后期出故障。这样的缺陷被称为内在缺陷，并且可以通过某些类型的应力测试来发觉。由于内在缺陷而损失的器件也称为成熟期失效(adult-mortality)。

常常期望可以在将具有内在缺陷的电子器件运送给客户之前将它们筛选出来，以避免使用这样的电子器件的应用中的系统故障。

发明内容

根据实施例，一种电路包括：栅极驱动电路；输出晶体管，该输出晶体管具有耦接在电源节点与输出节点之间的第一负载路径和耦接至栅极驱动电路的栅极；常通(normally-on)晶体管，该常通晶体管包括耦接至栅极驱动电路并耦接至输出晶体管的栅极的第二负载路径；以及上拉(pull-up)器件，该上拉器件耦接在常通晶体管的栅极与上拉节点之间，其中，输出晶体管被配置成：当对耦接至输出晶体管的栅极的电流测试节点施加测量电压并且对常通晶体管的栅极施加关断电压时，在测试模式下提供测试泄漏电流。栅极驱动电路被配置成：当常通晶体管的栅极的电压经由上拉器件被上拉至上拉节点的电压时，在正常操作模式下向输出晶体管的栅极提供栅极驱动电压。

附图说明

为了更全面地理解本发明及其优点，现在参照结合附图进行的以下描述，在附图中：

图1a示出了具有可用于线性电压调节器的拓扑的功率MOSFET系统；

图1b示出了图1a的包括泄漏应力测试电路的电路；

图1c示出了图1a的包括泄漏应力测试电路和用于允许正常操作的附加电路的电路；

图1d示出了图1a的电路的泄漏应力测试电路的可替选实现方式；

图2a示出了具有可用于高边驱动器的拓扑的功率MOSFET系统；

图2b示出了具有可用于低边驱动器的拓扑功率MOSFET系统；

图3a示出了根据本发明的实施例的、在栅极驱动电路与功率MOSFET栅极之间实现n型常通晶体管的、具有可用于线性电压调节器的拓扑的功率MOSFET系统的高电平电路示意图；

图3b示出了根据本发明的实施例的、泄漏应力测试配置中的功率MOSFET系统的高电平电路示意图；

图3c示出了根据本发明的实施例的、由ATE执行的泄漏应力测试配置中的功率MOSFET系统的高电平电路示意图；