[发明专利]一种沟槽式肖特基正面银表面金属结构的制造方法

说明书

本发明公开了一种沟槽式肖特基正面银表面金属结构的制造方法，该方法包括如下步骤：a.在肖特基器件的金属层上进行第一次光刻：涂胶、曝光、显影；b.第一次刻蚀金属，刻蚀金属层中的部分金属，去胶；c.第二次光刻：涂胶、曝光、显影，使其保护已腐蚀的部分金属；d.第二次刻蚀金属，刻蚀金属层中的剩余金属，去胶。本发明采用两次光刻和两次腐蚀多层金属薄膜的方法，可使金属腐蚀形貌稳定，在金属表层受到拉力时，不易出现翘边和脱落现象，利于产品可靠性的提高；同时，此工艺与现有的常规工艺兼容，无需专用的设备和引入新的光刻胶，有效降低制造成本。

技术领域

本发明涉及正面银表面金属工艺，尤其涉及一种沟槽式肖特基正面银表面金属结构的制造方法。

背景技术

肖特基势垒二极管作为整流器件已经在电源应用领域使用了数十年。相对于PN结二极管而言，肖特基势垒二极管具有正向开启电压低和开关速度快的优点，这使其非常适合应用于开关电源以及高频场合。

肖特基势垒二极管是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制造的。沟槽式肖特基，采用沟槽结构产生耗尽层夹断导电通道的原理，其高频特性和电性性能明显优于平面肖特基。当前主要采用以下方法制造沟槽式肖特基势垒：第一种，利用lift off工艺，进行三次光刻，再在其光刻胶的表面进行蒸发或溅射金属，采用贴膜揭膜的方法将光刻胶上的金属剥离，其工艺成本高，需要专用的光刻胶，兼有揭膜剥离金属时易出现金属残留等问题；第二种，在金属表面，进行一次光刻，然后刻蚀其金属，其刻蚀的形貌不稳定，易出现过刻蚀和金属残留的现象。

在沟槽式肖特基势垒的实际制造中出现以下问题：1、因沟槽的存在，以及各金属薄膜间的应力作用，圆片翘曲度过大，加工难度大；2、复合金属膜腐蚀难度大，易出现过刻蚀和金属残留的现象，且腐蚀形貌如图1所示易出现倒三角现象，直接影响金属薄膜间的粘附性及产品可靠性。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提供一种沟槽式肖特基正面银表面金属结构的制造方法。

本发明提供了一种沟槽式肖特基正面银表面金属结构的制造方法，包括如下步骤：

a.在肖特基器件的金属层上进行第一次光刻：涂胶、曝光、显影；

b.第一次刻蚀金属，刻蚀所述金属层中的部分金属，去胶；

c.第二次光刻：涂胶、曝光、显影，使其保护已腐蚀的所述部分金属；

d.第二次刻蚀金属，刻蚀所述金属层中的剩余金属，去胶。

以上技术方案，优选的，所述第一次刻蚀金属为湿法腐蚀，所述第二次刻蚀金属为干法或湿法刻蚀。

以上技术方案，优选的，所述肖特基器件的金属层的形成包括如下步骤：

S1.在硅片上形成势垒金属层，形成硅片-势垒金属结构；

S2.对所述硅片-势垒金属结构进行第一次热处理；

S3.在所述势垒金属层上形成第一金属层，形成硅片-势垒金属-第一金属层结构；

S4.对所述硅片-势垒金属-第一金属层结构进行第二次热处理；

S5.在所述第一金属层上淀积第二金属层，形成硅片-势垒金属-第一金属层-第二金属层结构。

以上技术方案，优选的，所述势垒金属层为钛金属，所述第一金属层为铝、铝硅合金、铝硅铜合金中的任一种或任意组合，所述第二金属层由下至上依次为钛镍银金属。

以上技术方案，优选的，所述部分金属为所述镍银金属，所述剩余金属为所述势垒金属、所述第一金属层的金属和所述第二金属层中的钛金属。

以上技术方案，优选的，所述势垒金属层厚度为所述第一金属层厚度为所述钛镍银金属厚度分别为