[发明专利]一种沟槽式肖特基正面银表面金属结构的制造方法有效
| 申请号： | 201710669359.1 | 申请日： | 2017-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN109390230B | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 刘晓芳;王彦君;孙晨光;徐长坡;王万礼;张新玲;刘丽媛;董子旭;刘闯;张晋英;刘文彬;乔智;印小松;段芳芳;冯海英 | 申请（专利权）人： | 天津环鑫科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L21/329 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 300384 天津市西青区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 式肖特基 正面 表面 金属结构 制造 方法 | ||
1.一种沟槽式肖特基正面银表面金属结构的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
a.在肖特基器件的金属层上进行第一次光刻：涂胶、曝光、显影；
b.第一次刻蚀金属，刻蚀所述金属层中的部分金属，去胶；
c.第二次光刻：涂胶、曝光、显影，使其保护已腐蚀的所述部分金属；
d.第二次刻蚀金属，刻蚀所述金属层中的剩余金属，去胶；
所述肖特基器件的金属层的形成包括如下步骤：
S1.在硅片上形成势垒金属层，形成硅片-势垒金属结构；
S2.对所述硅片-势垒金属结构进行第一次热处理，所述第一次热处理为退火处理，处理温度为650～850℃，处理时间为5～15min；
S3.在所述势垒金属层上形成第一金属层，形成硅片-势垒金属-第一金属层结构；
S4.对所述硅片-势垒金属-第一金属层结构进行第二次热处理，所述第二次热处理为退火处理，处理温度为300～600℃，处理时间为0.5～2h；
S5.在所述第一金属层上淀积第二金属层，形成硅片-势垒金属-第一金属层-第二金属层结构；
所述势垒金属层为钛金属，所述第一金属层为铝、铝硅合金、铝硅铜合金中的任一种或任意组合，所述第二金属层由下至上依次为钛镍银金属；
所述部分金属为所述镍银金属，所述剩余金属为所述势垒金属、所述第一金属层的金属和所述第二金属层中的钛金属。
2.根据权利要求1所述的沟槽式肖特基正面银表面金属结构的制造方法，其特征在于：所述第一次刻蚀金属为湿法腐蚀，所述第二次刻蚀金属为干法或湿法刻蚀。
3.根据权利要求1所述的沟槽式肖特基正面银表面金属结构的制造方法，其特征在于：所述势垒金属层厚度为所述第一金属层厚度为所述钛镍银金属厚度分别为
4.根据权利要求1至3任一项所述的沟槽式肖特基正面银表面金属结构的制造方法，其特征在于：在所述步骤S1、S2中，分别采用蒸发或溅射的方式形成所述势垒金属层和所述第一金属层。
5.根据权利要求4所述的沟槽式肖特基正面银表面金属结构的制造方法，其特征在于：在所述步骤S1、S2中，分别采用蒸发或溅射的方式形成所述势垒金属层和所述第一金属层。
6.根据权利要求1所述的沟槽式肖特基正面银表面金属结构的制造方法，其特征在于：步骤S1之前还包括步骤：用清洗液对所述硅片进行势垒前的清洗，清洗时间为5～30分钟，所述清洗液为HF:H2O体积比为5:1～20:1。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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