[发明专利]太阳能电池硅片的扩散方法、管式扩散炉、太阳能电池在审
申请号: | 201710630198.5 | 申请日: | 2017-07-28 |
公开(公告)号: | CN107437573A | 公开(公告)日: | 2017-12-05 |
发明(设计)人: | 黄纪德;侯玥玥;金井升;张昕宇;金浩 | 申请(专利权)人: | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/068;H01L21/67 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 胡素莉,李海建 |
地址: | 314416 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 硅片 扩散 方法 | ||
1.一种太阳能电池硅片的扩散方法,其特征在于,包括步骤:
将硅片送至扩散炉管内;
加热所述扩散炉管,以使所述扩散炉管内的温度沿工艺气体充入所述扩散炉管的方向增高;
对所述扩散炉管内的硅片进行扩散。
2.根据权利要求1所述的扩散方法,其特征在于,所述工艺气体自所述扩散炉管的炉尾向所述扩散炉管的炉口充入所述扩散炉管。
3.根据权利要求1所述的扩散方法,其特征在于,所述扩散炉管包括至少两个管段,相邻两个所述管段内的温度沿工艺气体充入所述扩散炉管的方向增高。
4.根据权利要求1所述的扩散方法,其特征在于,所述扩散炉管内的温度沿工艺气体充入所述扩散炉管的方向递增。
5.根据权利要求1所述的扩散方法,其特征在于,所述扩散炉管内的最高温度和最低温度的差值为1℃-20℃,所述扩散炉管内的温度不小于780℃且不大于800℃。
6.根据权利要求1所述的扩散方法,其特征在于,所述工艺气体包括:氧气、氮气和携带杂质源的氮气,其中,所述氧气的流量为500sccm-1000sccm,所述氮气的流量为5slm-10slm,所述氮气的流量为500sccm-1000sccm。
7.根据权利要求1-6中任意一项所述的扩散方法,其特征在于,对所述扩散炉管内的硅片进行扩散具体包括步骤:
对所述硅片进行恒定源扩散;
待所述恒定源扩散结束后,对所述硅片进行限定源扩散;
待所述限定源扩散结束后,将所述硅片的温度降至预设温度。
8.根据权利要求7所述的扩散方法,其特征在于,所述恒定源扩散的时间为5min-20min,所述限定源扩散的时间为5min-20min。
9.一种太阳能电池,其特征在于,所述太阳能电池的PN结由如权利要求1-8中任意一项所述的扩散方法制作。
10.一种管式扩散炉,其特征在于,包括:扩散炉管和加热模块,其中,所述加热模块加热所述扩散炉管以使所述扩散炉管内的温度沿工艺气体充入所述扩散炉管的方向增高。
11.根据权利要求10所述的管式扩散炉,其特征在于,所述加热模块至少为两个,且所述加热模块沿所述扩散炉管的充气方向分布,相邻两个所述加热模块的加热温度沿所述扩散炉管的充气方向增高。
12.根据权利要求11所述的管式扩散炉,其特征在于,所述加热模块为加热丝,且所述加热丝缠绕于所述扩散炉管上。
13.根据权利要求10所述的管式扩散炉,其特征在于,所述扩散炉管内的最高温度和最低温度的差值为1℃-20℃,所述扩散炉管内的温度不小于780℃且不大于800℃。
14.根据权利要求10所述的管式扩散炉,其特征在于,所述加热模块套设于所述扩散炉管的外侧。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的