[发明专利]一种倒装HV-LED光源及其制备方法

说明书

本申请公开了一种倒装HV‑LED光源及其制备方法，其中，所述倒装HV‑LED光源的反射膜和金属层共同构成了所述倒装HV‑LED光源中的HV‑LED芯片的反光面，提升了HV‑LED芯片的光源利用率，从而提升了所述倒装HV‑LED光源的出光效率；另外，所述倒装HV‑LED光源中的封装层与所述基板表面所成角度为预设角度，为所述HV‑LED芯片提供了一个反光杯结构，使得所述HV‑LED芯片的出射光线在其出射光路上能够被该反光杯结构反射向所述倒装HV‑LED光源的出光面，从而进一步增强所述倒装HV‑LED芯片的出光效率。

技术领域

本申请涉及半导体器件技术领域，更具体地说，涉及一种倒装HV-LED光源及其制备方法。

背景技术

高压发光二极管(High Voltage Light Emitting Diode，HV-LED)光源，又称高亮度发光二极管光源，是一种新型的固态照明光源，其额定电压可达30V-70V，具有光电转换效率高、环保无污染、可靠性高、响应时间快、辐射效率高和寿命长等优点。

由于传统的DC-LED芯片在大电流低电压下工作，为提升其工作电压，一般采用集成封装结构，即将多颗芯片串并联，而HV-LED光源直接在芯片级就实现了微晶粒的串并联，并在低电流高电压下工作，HV-LED光源不仅能够将加油交流电通过外接全波整流器驱动，也可采用直流驱动，运用范围广。现有的HV-LED光源主要分为正装HV-LED光源和倒装HV-LED光源，其中，正装HV-LED光源是指把HV-LED芯片的电极朝上，衬底朝下的方式用粘结材料与支架连接，然后在电极上打线与支架相连，从而实现HV-LED芯片与电极的电连接。正装HV-LED光源由于电极和电极焊接点都在HV-LED芯片出光面方向上，由于电极和电极焊接点都会吸收部分光线，而降低光源的出光效率。

为了解决正装HV-LED光源的上述问题，倒装HV-LED光源应运而生，传统的倒装HV-LED光源通过HV-LED芯片的倒装焊解决了电极和电极焊接点的遮光问题，但是如何对倒装HV-LED光源的封装结构进行进一步的改善，以进一步提升倒装HV-LED光源的出光效率，成为相关领域研究人员努力的方向之一。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提供了一种倒装HV-LED光源及其制备方法，以实现提高倒装HV-LED光源的出光效率的目的。

为实现上述技术目的，本发明实施例提供了如下技术方案：

一种倒装HV-LED光源，包括：

至少一个HV-LED芯片；

基板，所述基板表面具有至少一个凹槽；

位于每个所述凹槽背离所述基板一侧表面的反射膜，每个所述反射膜表面设置一个所述HV-LED芯片，所述HV-LED芯片的出光面背离所述反射膜；

位于所述基板表面的金属层、第一电极和第二电极，所述金属层用于实现所述至少一个HV-LED芯片与所述第一电极和第二电极的电连接；

位于所述至少一个HV-LED芯片背离所述基板一侧的封装层，所述封装层覆盖所述至少一个HV-LED芯片及所述金属层，且与所述基板表面所成角度为预设角度；

所述封装层包括：功能层以及包围所述功能层的支撑结构；

所述功能层包括：

覆盖所述至少一个HV-LED芯片及所述金属层的第一荧光粉层；

位于所述荧光粉背离所述金属层一侧表面的保护层；

所述预设角度的取值范围为，0°-90°，不包括端点值。

可选的，所述金属层包括：走线层和至少一个连接结构；

每个所述连接结构位于一个所述凹槽中，一个所述连接结构用于连接一个所述HV-LED芯片；