[发明专利]一种倒装HV-LED光源及其制备方法

权利要求书

1.一种倒装HV-LED光源，其特征在于，包括：

至少一个HV-LED芯片；

基板，所述基板表面具有至少一个凹槽；

位于每个所述凹槽背离所述基板一侧表面的反射膜，每个所述反射膜表面设置一个所述HV-LED芯片，所述HV-LED芯片的出光面背离所述反射膜；

位于所述基板表面的金属层、第一电极和第二电极，所述金属层用于实现所述至少一个HV-LED芯片与所述第一电极和第二电极的电连接，所述金属层包括：走线层和至少一个连接结构，每个所述连接结构位于一个所述凹槽中，一个所述连接结构用于连接一个所述HV-LED芯片，所述走线层用于实现所述连接结构与所述第一电极及第二电极的电连接，所述凹槽的剖面形状为正倒梯形，且所述倒梯形的高度与所述连接结构的高度相等;

位于所述至少一个HV-LED芯片背离所述基板一侧的封装层，所述封装层覆盖所述至少一个HV-LED芯片及所述金属层，且与所述基板表面所成角度为预设角度；

所述封装层包括：功能层以及包围所述功能层的支撑结构；

所述功能层包括：

覆盖所述至少一个HV-LED芯片及所述金属层的第一荧光粉层；

位于所述荧光粉背离所述金属层一侧表面的保护层；

位于所述第一荧光粉层与所述保护层之间的透镜及减反射膜，所述减反射膜位于所述透镜与所述保护层之间；

所述预设角度的取值范围为，0°-90°，不包括端点值。

2.根据权利要求1所述的倒装HV-LED光源，其特征在于，所述预设角度的取值范围为45°±10°，包括端点值。

3.根据权利要求1所述的倒装HV-LED光源，其特征在于，所述功能层还包括：

位于所述减反射膜与所述保护层之间的第二荧光粉层。

4.根据权利要求1所述的倒装HV-LED光源，其特征在于，所述基板为陶瓷基板。

5.根据权利要求1所述的倒装HV-LED光源，其特征在于，所述支撑结构包括反射单元和支撑单元；其中，

所述反射单元位于所述支撑单元与所述功能层之间。

6.根据权利要求5所述的倒装HV-LED光源，其特征在于，所述反射单元为布拉格反射镜薄膜反射单元或二维光子晶体材料反射单元。

7.一种如权利要求1-6任一项所述的倒装HV-LED光源的制备方法，其特征在于，包括：

提供基板；

对所述基板进行刻蚀，形成至少一个凹槽；

在所述基板表面敷金属膜层，并对所述金属膜层进行刻蚀，以使所述凹槽表面暴露出来，形成金属层、第一电极和第二电极；

在所述凹槽表面形成反射膜；

在每个所述反射膜表面倒装焊一个HV-LED芯片，所述HV-LED芯片通过所述金属层与所述第一电极及第二电极电连接，所述HV-LED芯片的出光面背离所述反射膜；

在所述至少一个HV-LED芯片背离所述基板一侧，形成覆盖所述至少一个HV-LED芯片及所述金属层的封装层，所述封装层与所述基板表面所成角度为预设角度；

所述封装层包括：功能层以及包围所述功能层的支撑结构；

所述功能层包括：

覆盖所述至少一个HV-LED芯片及所述金属层的第一荧光粉层；

位于所述荧光粉背离所述金属层一侧表面的保护层；

所述预设角度的取值范围为，0°-90°，不包括端点值。

8.根据权利要求7所述的倒装HV-LED光源，其特征在于，所述预设角度的取值范围为45°±5°，包括端点值。

9.根据权利要求7所述的倒装HV-LED光源，其特征在于，所述在所述基板表面敷金属膜层，并对所述金属膜层进行刻蚀，以使所述凹槽表面暴露出来，形成金属层包括：

在所述基板表面设置铜箔；

对所述基板与所述铜箔进行共晶烧结，形成铜金属膜层；

在所述铜金属膜层表面设置光敏胶，并对所述光敏胶进行曝光、显影，形成掩膜层；

以所述掩膜层为掩膜对所述铜金属膜层进行刻蚀，使所述凹槽表面暴露出来，形成铜金属层。