[发明专利]一种进气机构及预清洗腔室

说明书

本发明提供一种进气机构及预清洗腔室。本发明的进气机构包括盖板和保护板，其中，在盖板中设置有进气通道，该进气通道与气源连接；在盖板和保护板之间设置有缓冲腔；在保护板中设置有出气口；气源提供的工艺气体依次通过进气通道、缓冲腔和出气口进入工艺腔，并且，进气机构还包括阻挡件，该阻挡件设置在缓冲腔内，并能够遮挡出气口，以阻挡自出气口进入缓冲腔的颗粒物到达所述盖板，防止盖板被污染。本发明的预清洗腔室包括本发明的进气机构。本发明提供的进气机构和预清洗腔室，可以避免盖板被污染，从而可以提高设备的使用寿命。

技术领域

本发明涉及半导体设备领域，具体地，涉及一种进气机构及预清洗腔室。

背景技术

在物理气相沉积工艺设备中，特别是对于集成电路(IC)、硅穿孔(TSV)、封装(Packaging)制造工艺，需要一种预清洗(Preclean)工艺腔，进行预清洗工艺，以在沉积金属膜之前，清除晶圆表面的污染物，或者沟槽和穿孔底部的残余物。一般的预清洗工艺，是将工艺气体，如Ar(氩气)、He(氦气)等，激发为等离子体，利用等离子体的化学反应和物理轰击作用，对晶圆进行去杂质的处理。

目前，通常在反应腔室顶部设置上进气机构，用以向反应腔室内输送工艺气体。图1为现有的上进气机构的结构图。图2为图1中上进气机构的仰视图。图3为图1中上进气机构的局部剖视图。请一并参阅图1～图3，上进气机构包括上盖板1和设置在该上盖板1底部的保护板2，在上盖板1中设置有进气通道3，且在保护板2中设置有多个出气口4，多个出气口4位于保护板2的边缘，且沿保护板2的周向对称分布，如图2所示。而且，在所述上盖板1的下表面形成有凹槽，该凹槽与保护板2的上表面形成中间通道5，该中间通道5分别与进气通道3的出气端和各个出气口4相连通，工艺气体依次经由进气通道3、中间通道5和各个出气口4流入反应腔室中，该工艺气体的流动方向如图3中的箭头所示。

上述上进气机构在实际应用中不可避免地存在以下问题：

如图4所示，在反应腔室中的污染物能够由下而上穿过出气口4，并进入中间通道5中，附着在上盖板1的内壁上，从而对上盖板1造成了污染，由于很难对上盖板1进行清洗和更换，从而降低了设备的使用寿命。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种进气机构及预清洗腔室，其可以避免盖板被污染的问题，从而可以提高设备的使用寿命。

根据本发明的一方面，提供了一种进气机构包括盖板和保护板，其中，在所述盖板中设置有进气通道，所述进气通道与气源连接；在所述盖板和所述保护板之间设置有缓冲腔；在所述保护板中设置有出气口；所述气源提供的工艺气体依次通过所述进气通道、所述缓冲腔和所述出气口进入工艺腔，

所述进气机构还包括阻挡件，所述阻挡件设置在所述缓冲腔内，并能够遮挡所述出气口，以阻挡自所述出气口进入所述缓冲腔的颗粒物到达所述盖板，防止所述盖板被污染。

可选地，根据本发明的进气机构，所述阻挡件包括板状本体，其中，

所述板状本体与所述盖板之间具有第一通道；

所述板状本体中具有第二通道，或在所述板状本体与所述缓冲腔的侧壁之间具有第二通道；

所述板状本体与所述保护板之间具有第三通道；

所述工艺气体依次通过所述进气通道、所述第一通道、所述第二通道、所述第三通道和所述出气口进入所述工艺腔。

可选地，根据本发明的进气机构，所述第一通道包括：

设置在所述板状本体上的第一凹部，和/或设置在所述盖板上的第二凹部；其中，

所述第一凹部和所述第二凹部分别设置于所述板状本体与所述盖板相对的表面上。

可选地，根据本发明的进气机构，所述板状本体中具有第二通道；