[发明专利]芯片旋转共晶焊接台有效
申请号: | 201710407869.1 | 申请日: | 2017-06-02 |
公开(公告)号: | CN107424951B | 公开(公告)日: | 2023-08-18 |
发明(设计)人: | 代克明;曾林波;肖华平 | 申请(专利权)人: | 广东瑞谷光网通信股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/687;H01L21/60 |
代理公司: | 深圳市凯达知识产权事务所 44256 | 代理人: | 刘大弯 |
地址: | 523000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 旋转 焊接 | ||
本发明公开了一种芯片旋转共晶焊接台,包括底板,所述底板上固定有吸嘴移动平台和焊台移动平台,所述吸嘴移动平台上设置有一驱动旋转吸嘴在竖直面旋转吸嘴旋转电机,所述焊台移动平台上设置有一驱动共晶焊台水平旋转的焊台旋转电机,所述旋转吸嘴包括周向均匀设置的四个真空吸嘴,所述共晶焊台上至少设置有二个焊台,所述焊台的管座进料孔周向设置,所述真空吸嘴上吸附有管座。本发明具有能提高加工效率、设备占用场所面积小的优点。
技术领域
本发明涉及LD加工领域,尤其是涉及一种能同步进行上料焊接和下料焊接工作,提高了加工效率,同时设备占用场所面积小的芯片旋转共晶焊接台。
背景技术
LD(半导体激光器)具有效率高、寿命长、光束质量好、体积小、重量轻、可全固化等诸多优点,近年得到快速发展,并成为当今国际上激光领域最令人关注的研究热点。在LD的芯片制造、管芯(模组)封装和产品应用三个方面,封装工艺和设备更接近于市场,对产业的推动作用更为直接。其中,共晶焊接技术是下一代倒装大功率LD芯片封装工艺中最为关健的核心技术之一,共晶焊技术的好坏会直接影响到大功率LD模组的发光效率、寿命、散热性能和终端产品质量。自动共晶焊工序一共有3个零件,分别为管座,垫片和芯片(尺寸长*宽*高为1.5*1.0*0.6mm),先将垫片通过共晶的方法焊接在底座上,然后再将芯片通过共晶的方法焊接在垫片,现在的共晶焊台是通过一条生产线利用多个搬运吸嘴和一个共晶焊台在管座上依次焊接垫片和芯片而成的,这种工艺是通过条形生产线将管座分次搬运到共晶焊台上,搬运吸嘴放下管座后要再次去料盒搬运,这种工艺存在加工效率低,设备占用场所面积大的问题。
发明内容
本发明目的在于提供一种能同步进行上料焊接和下料焊接工作,提高了加工效率,同时设备占用场所面积小的芯片旋转共晶焊接台。
本发明通过以下技术措施实现的,一种芯片旋转共晶焊接台,包括底板,所述底板上固定有吸嘴移动平台和焊台移动平台,所述吸嘴移动平台上设置有一驱动旋转吸嘴在竖直面旋转吸嘴旋转电机,所述焊台移动平台上设置有一驱动共晶焊台水平旋转的焊台旋转电机,所述旋转吸嘴包括周向均匀设置的四个真空吸嘴,所述共晶焊台上至少设置有二个焊台,所述焊台的管座进料孔周向设置,所述真空吸嘴上吸附有管座,所述吸嘴移动平台平动将真空吸嘴上吸附的管座从管座进料孔送入焊台内,垫片搬运吸嘴从上方将垫片送入管座的底座上进行共晶焊接,然后芯片搬运吸嘴从上方将芯片送入垫片上进行共晶焊接,最后真空吸嘴退出,焊台旋转电机驱动共晶焊台水平旋转使另一个空焊台转到焊接位。
作为一种优选方式,所述吸嘴移动平台包括固定在底板的平移轨道,所述平移轨道上水平滑动设置有由平移电机驱动的吸嘴旋转电机固定座,所述吸嘴旋转电机固定在吸嘴旋转电机固定座上。
作为一种优选方式,所述平移轨道设置有限定吸嘴旋转电机固定座位置的限位气缸。
作为一种优选方式,所述焊台移动平台包括由X向电机驱动的能在底板上X向水平滑动的X向滑台以及由Y向电机驱动的能在X向滑台上Y向水平滑动的Y向滑台,所述焊台旋转电机固定在Y向滑台上。
作为一种优选方式,所述X向滑台上设置有能检测X向滑台位置的X向位置传感器,所述Y向滑台上设置有能检测Y向滑台位置的Y向位置传感器。
作为一种优选方式,所述共晶焊台包括固定在焊台旋转电机驱动轴上的焊台安装座,所述焊台安装座的中间安装有一条形中隔热块,所述中隔热块二侧中心对称设置有左隔热块和右隔热块,所述中隔热块和左隔热块上方支撑设置有左焊台,所述中隔热块和右隔热块上方支撑设置有右焊台,所述左焊台和右焊台内分别设置有左加热片和右热片,所述左焊台和右焊台由一焊台防护盖包围,所述焊台防护盖对应左焊台和右焊台分别设置有周向的管座进料孔以及上方的芯片进料孔。
作为一种优选方式,所述焊台安装座上还对称固定有用于支撑焊台防护盖的二焊台防护盖支撑杆。
作为一种优选方式,所述左焊台和右焊台下方分别设置有焊台支撑片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造